超支化聚碳硅烷掺杂改性及其陶瓷化的研究.pdf

摘要 摘要 聚合物先驱体陶瓷法(PDC)由于拥有众多优点己成为制备高性能陶瓷的重 要方法。聚碳硅烷(PCS)作为SiC基陶瓷的聚合物先驱体方面的研究已引起广泛 关注。其中，一种超支化聚碳硅烷(HBPCS)由于其超支化结构，低粘度，可溶， 较多的活性官能团等优点，适用于PDC法制备SiC基陶瓷复合材料而备受青睐。 目前，在SiC基陶瓷中引入异质元素从而赋予陶瓷优异的电磁肿ILT．厶匕I化，成为高性能 陶瓷研究的热点。 本论文以HBPCS为原料，合成了含钛、锆、铁的杂化先驱体，经交联裂解 得到了含钛、锆、铁的SiC基复合陶瓷。采用傅立叶红外光谱(FTIR)、核磁共振 谱(NMR)、凝胶渗透色谱(GPC)等测试方法分析先驱体的化学结构、组成和分子 等方法对聚合物先驱体的交联和陶瓷化产物的组成、热行为、结晶行为、微观结 构和磁性能等进行表征。 首先，为降低交联温度，提高陶瓷产率，通过氢化聚碳硅烷(HPCS)和1钛酸 丁酯(TBT)化学反应制备含钛的聚碳硅烷先驱体，经交联、裂解得到SiC(T0复相 陶瓷。研究表明：TBT中的烷氧基可与HPCS的硅氢发生缩合反应，形成Si—O—Ti 键，促进HPCS的交联，提高陶瓷产率。当先驱体中Ti元素含量为5％，14000C SiC的晶粒尺寸变小，表明Ti元素抑制SiC晶粒的长大；并且陶瓷中Ti元素含 量可以通过先驱体中TBT的引入量进行调控。 其次，为提高陶瓷耐高温稳定性能和介电性能，通过AHPCS(烯丙基超支化 聚碳硅烷)和二氯二茂锆、二氯二茂钛化合物共混，制备SiC／Zr(Ti)C／C复相陶瓷。 研究表明：二氯二茂锆、二氯二茂钛的引入促进AHPCS的硅氢加成，脱氢耦合 350。C出现B—SiC 对于AHPCS．Cp2TiCl2杂化体系，1200。C的陶瓷产率高达82％，1 摘要 25％，复相陶瓷的致密化程度最好，当Cp2TiCl2的含量高达50％，复相陶瓷具有 优异的介电·]生能(tan0=0．34)。 最后，为提高陶瓷的磁性能，通过AHPCS和Fe(CO)5的化学反应制备含铁 的聚碳硅烷先驱体，经交联裂解制备Fe—SiC复相陶瓷。研究表明：首先re(CO)5 分解为多核羰基铁化合物，释放出CO参与AHPCS的交联反应，形成Si．O—Si 含铁含量为1．51％的Fe—SiC复相陶瓷的饱和磁化强度为3．08emu／g。 关键词：超支化聚碳硅烷，钛酸丁酯，二氯二茂锆，二氯二茂钛，羰基铁， SiC复相陶瓷 II Abstract Abstract The derived hasbeen consideredasoneofthe polymer ceramic(PDC)route most methodsto silicon ceramic for popular prepare carbide(SiC)based composites its beenof interestas advantages．Polycarbosilanes(PCSs)haveparticular precursors toSiC．Ofallthe PCSs，ahyperbranched regarded asexcellent for SiCceramicmatrixsources precursors