磁控溅射法制备氮化钛薄膜及其结构和电性能的研究.pdfVIP

摘要 摘 要 氮化钛是过渡金属氮化物，它由离子键、金属键和共价键混合而成，它具 有高强度、高硬度、耐高温、耐酸碱侵蚀、耐磨损以及良好的导电性、导热性 和优良的光学性能等一系列优点，广泛用于制备金属陶瓷、切削工具、模具、 熔炼金属用坩埚、熔盐电解金属用电极的衬里材料、电触点和金属表面的被覆 材料以及太阳能选择性透射膜。 本文采用直流反应磁控溅射法在P型Si(111)基底上制备TiN薄膜，采用． 单参数变化法研究工艺参数对所制备的TiN薄膜的结构和电学性能的影响。通 过正交实验设计，研究各参数对薄膜导电性能的影响程度，并分别研究溅射电 流、氩气与氮气流量比和基底温度对TiN单层薄膜及Ti用N双层薄膜的组分、 结晶取向、表面形貌、电学性能的影响，分析并总结了溅射TiN薄膜工艺参数 变化对薄膜性能的影响规律，为高性能TiN薄膜的制备提供了实验依据。 本文的研究表明，对于TN单层薄膜，改变溅射电流所制备的薄膜主要成 折点，随着溅射电流的增大，薄膜厚度和均方粗糙度增大，电阻率先减小后增 大；改变氩气与氮气流量比所制备的薄膜主要成分是(200)择优取向的立方相 TiN，随着氩气与氮气流量比的增加，薄膜厚度逐渐增大，而表面粗糙度与电阻 率先减小后增大，当氩气与氮气流量比为15：1时，薄膜表面粗糙度和电阻率达 到最小值；改变基底温度所制备的薄膜主要成分为立方相TiN，2400C附近是择 优取向由(111)向(200)转变的临界点，随着基底温度的升高，T．N薄膜的电 阻率显著降低。 对于Ti用N双层薄膜，改变溅射电流所制备的薄膜由密排六方结构的Ti， 四方结构的Ti2N和面心立方结构的TiN三相组成，随着溅射电流的增大，电阻 率显著减小；改变氩气与氮气流量比所制备的薄膜由密排六方结构的Ti和面心 立方结构的TiN两相组成，随着氩气与氮气流量比的增大，导电性能逐渐变好。 T抓N双层薄膜的颗粒平均粒径与表面粗糙度均小于TiN单层薄膜，而其电阻 率与TiN单层薄膜相比更大。 本论文的研究为进一步探究TiN薄膜微观结构与其表面形貌、提高TiN薄 膜性能等提供了理论上的参考，为高性能T．N薄膜及与之相关的其它纳米薄膜 的制备提供了规律性的参考和实验依据。 关键词：反应磁控溅射；TiN薄膜；表面形貌；电阻率 ABSTRACT ABSTRACT Titanium atransitionmetalnitridewhichhasastructure nitdde(TIN)is combinedwithcovalentbond．ionicbondandmetalbond．Ithasthe of advantages intensionand high hardness，high alkaline， electrical andexcellent wear-resisting，favorableconductivity,the肌alconductivity is usedin opticalproperties．Itwidely preparationce肌et，cuttingtool，mould， crucibleofmetal materialof offusedsalts melting，lining electrolysis electrode， electrical materialofmetalsurfaceandselectivetransmissionofsolar contact，coating energy． Inthis thinfilmswere DC