原子层淀积高介常数栅介质hfolt;,2gt;反应机理的密度泛函理论研究.pdfVIP

内容摘要 本报告使用量子化学的密度泛函方法(DFT)研究了高介电常数栅介 质Hf02的原子层淀积的仞始反应的反应机理。研究的主要内容有反应 HfCl4和H20在单、双羟基化Si，Ge表面的初始反应。 生长过程，还是HfCl4和H20在单、双羟基化Si，Ge表面的初始反应， AI(CH3)3首先吸附在衬底表面，形成一个化学吸附态，这是一个放热 ● 过程；然后这个中间体络合物经过一个过渡态结构，最后形成HCI或 者CHt气态产物，这是一个消去反应。 活化势垒要远远低于反应物的总能量，而且是一个放热反应，因此通 容易。 面的仞始反应，结果发现HfCI。在的第一个“半反应”的能量有明显的 不同，在Oe(100)2X1的吸附能更大，但是活化势垒以及后续的反应的 无论吸附能、活化势垒和反应热都没有明显变化，这说明由于第一步 1和 的影响。 另外，我们也考察了ALD过程的反应温度对氧化物薄膜生长的影响， 结果发现，随着温度的增加，将导致化学吸附态的不稳定，直接导致 吸附化合物的解吸附。对于HfCI。在A1203表面的反应，因为活化能明 显高于反应物的总