化学气相冷凝合成纳米颗粒反应器 Ⅱ.传热过程模拟.pdfVIP

DOI : 10 . 14135 /j . cnki . 1006 -30 0 . 199 . 06 . 014 　　　　　华　东　理　工　大　学　学　报 Vol. 24 N o. 6 ·692 · 　　　　　 Jou rnal of Ea s t China Univer sit y of Sci ence and Technology 199 - 12 + 化 学 气 相 冷 凝 合 成 纳 米 颗 粒 反 应 器 II.传热过程模拟 * 孙志刚　朱以华 　李春忠 (华东理工大学技术化学物理研究所 ,上海 200237) 　　提要: 考虑反应器 内高温差带来的流体物性变化 ,建立了化学气相冷凝反应器 内 流体流动和传热过程的二维数学模型 。采用 SIMP LEC算法求解得出了强制对流状 态下反应器 内速度场和温度场 的分布 ,考察了直管壁面温度 、撞击壁面温度、直管出 口与撞击面的距离和 Reynold s 准数等参数对反应器 内中心轴线上直管出 口与撞击 面 间的温度分布、直管壁面上 的直管出 口与撞击面 间的温度分布 以及撞击驻点的 Nu s selt 准数 的影响规律。 关键词: 化学气相冷凝 ;层流反应器 ;纳米颗粒 ;流体流动 ;传热过程 ;数值模拟 中图分类号: TQ021. 3 　　纳米颗粒材料 自问世以来 , 因其具有优 良的理化特性和广泛的应用前景而倍受人们关注 , [1, 2 ] 纳米颗粒的制备技术已成为世界各国研究的热点。 等 提 出了纳米颗粒材料制备的化 Ch ang 学气相冷凝 ( CVC)技术 。 CV C反应器 内流体的流动类似于撞击射流过程 , 同时又涉及到高温 化学反应和极低温激冷 ,使得反应器 中的流场和传递过程更加复杂化。对于层流状态下撞击射 流传热过程 的数值模拟近年来 曾有报道 [ 3～ 5] ,但这些研究结构不太适用于 CV C过程。因为 CV C反应器内部的直管壁面 的加热温度高达 1 300K以上 ,而撞击面上的冷凝温度仅有大约 100K。针对 CV C过程 ,作者建立了 CV C反应器 内流体流动的数学模型 ,并考察了在等温情况 下 CV C反应器 中流动参数和反应器结构尺寸对流体流动 的影响 [6 ]。本文在研究 CV C反应器 的流体流动过程 的基础上 ,建立 了 CV C反应器中传热过程的二维数学模型 ,采用 SIM PLEC 算法求解 了 CV C反应器 中速度场和温度场 的分布 ,并讨论 了操作参数和反应器结构尺寸对 流体流动及传热的影响。 1　 CV C反应器传热过程的数学模型 1. 1　模型方程的建立 对于 CV C合成纳米颗粒的过程分析和模型中反应器 , 以及对反应器中的流体流动和传 热过程所作的简化假定详见文献 [6],并忽略粘性耗散和辐射 引起 的热变化。 在 CV C反应器 内由于温度差很大 , 因此在模型方程中考虑物性参数随温度的变化 。在柱 坐标下模型方程可 以表示为 [7 ]: + 国家 自然科学基金资助项 目( 收稿 日期: 199 -03-30 第 6期 孙志刚等: 化学气相冷凝合成纳米颗粒反应器研究 　　　 II ·693 · 连续性方程: