化学气相冷凝合成纳米颗粒反应器研究 I.流体流动过程模拟.pdfVIP

　　　　　华　东　理　工　大　学　学　报 Vol. 24 N o. 6 ·6 6 · 　　　　　 Jou rnal of Ea s t China Univer sit y of Sci ence and Technology 199 - 12 + 化 学 气 相 冷 凝 合 成 纳 米 颗 粒 反 应 器 研 究 I.流体流动过程模拟 * 孙志刚　朱以华 　李春忠 (华东理工大学技术化学物理研究所 ,上海 200237) 　　提要: 建立 了化学气相冷凝 反应器 内层流 状况下流体流动 的数学模型 , 采用 SIM PLEC算法求解 了反应器内速度和压力 的分布 , 并对计算值和文献值进行 了比 较 。考察 了 Reyn old s准数、直管出口与撞击面的距离等参数对反应器内流型、轴向中 心速度、径向最大速度 、沿撞击板压力分布 的影响规律。 关键词: 化学气相冷凝 ;层流反应器 ;流体流动 ;数值模拟 中图分类号: TQ021. 1 　　纳米颗粒材料具有许多特异的理化性能 ,在宇航、电子 、冶金、化学、生物和医学等领域有 着 广泛 的应用 前景 。 1994 年 W. Ch ang 等 [1, 2 ]提 出了纳米 颗粒合 成 的化学 气相冷 凝技 术 3 4 2 2 ( CV C) ,并采用这种方法合成 了粒径小、分布窄、无 团聚的 Si C、Si N 、ZrO 和 Ti O 等多种纳 米颗粒。 CV C技术将传统 的化学气相淀积 ( CV D)技术 中的化学反应过程和 惰性气体冷凝 ( IGC)技术 中的冷凝过程结合起来 ,形成 了一种新型反应 -冷凝合成技术 ,既避免了热 CVD反 应器中梯度小、停 留时间大 的缺陷 ,又弥补 了 IGC难于合成高熔点化合物纳米颗粒 的局限 , 因 而具有很大的研究和实用化前景 。 CV C过程 同时涉及高温化学反应和极低温激冷 。 CV C反应器内流体的流动类似于撞击 射流。对于撞击射流过程许多学者进行了研究 ,但大多数集中于湍流情况的研究 ,而对在纳米 颗粒和薄膜合成过程中常遇到的层流情况报道很少 。对于撞击射流过程 , 自 0年代以来 ,一些 学者采用涡量 -流函数法求解二维流场 的 N - S方程 ,如 Wah l[ 3]和 Law 等 [ 4]采用有 限差分法 , [5 ] 而 Houtma n等 采用有 限元法求解。该方法优点是可 以避开难以处理 的压力梯度项 ,而其缺 点是难 以确定边界条件上的涡量 。随后又 出现采用原始变量法求解二维流场 。文献中主要集 中在有 限差分法 [6～ ]上 ,大多数研究的对象是无限制 的撞击射流过程 ,而对研究类似于 CV C 反应器这样带长直管并有一定限制空间的撞击射流 的报道很少。 本文在流体力学理论的基础上 ,建立 CV C反应器 内层流状况下流体流动的数学模型 ,采 用 SIMP LEC算 法求解 CV C 反应器 内二维 流场 的速度和压 力分布 ,并 考察在等温情 况下 CV C反应器中流动参数和反应器结构尺寸对流体流动的影响 ,这对揭示 CV C反应器中流动 特征及反应器结构设计有重要意义。 + 国家 自然科学基金资助项 目( 收稿 日期: 199 -03-25 第 6期 孙志刚等: 化学气相冷凝合成纳米颗粒反应器研究 　　　 I ·6 7 · 1　 CV C反应器的流场模型 1.