应用增强型碳化硅结型晶体管的功率因数校正技术精要.pptVIP

* 应用增强型碳化硅结型晶体管的功率因数校正技术 Robin Kelley1,2, Michael Mazzola1, Shane Morrison2, Igor Sankin2, David Sheridan2, and Jeff Casady2 密西西比州立大学车辆系统研究中心 E-mail: mazzola@ 目录 碳化硅开关器件的选择问题 三端（无共源共栅结构放大器）增强型（常关）碳化硅结型场效应晶体管 在采用标准PWM芯片或MOSFET驱动器的场合采用插入式替换设计 在商用PFC评估板上测得的实验结果 门极驱动电压范围的减小，这是致命的弱点吗？ 碳化硅开关器件的选择-优缺点对比 1200V 碳化硅DMOSFET 1200V 碳化硅结型晶体管 优点： 常关 比一般的硅MOSFET的Rds(on)小得多（大约为1/5-1/10） 比一般的硅MOSFET的Rds(on)Qg稍小 较高的结温 插入式替换-可插入现有插口中 缺点： 碳化硅MOSFET 的稳定性 碳化硅PN体二极管的稳定性 成本为3美元 优点： 常关 比硅MOSFET损耗低 结温高 缺点： 碳化硅基射极的稳定性 低电流增益 可替换插口？ 成本为3美元 碳化硅开关管的选择-优缺点对比 1200V 碳化硅DM 横向导电型场效应晶体管 优点： 比硅MOSFET的导通电阻低得多（1/10 ~1/20） 比硅MO