电力电子技术课件学习4.pptVIP

电 力 电 子 技 术Power Electronic Technology 第四讲 电力电子器件（三） 3.0 概述 3.1 门极可关断晶闸管 3.2 电力晶体管 3.3 电力场效应晶体管 3.4 绝缘栅双极晶体管 3.0 概述 门极可关断晶闸管(Gate-Turn-Off Thyristor —GTO)在晶闸管问世后不久出现 20世纪80年代以来，信息电子技术与电力电子技术在各自发展的基础上相结合——高频化、全控型、采用集成电路制造工艺的电力电子器件，从而将电力电子技术又带入了一个崭新时代 典型代表——门极可关断晶闸管、电力晶体管(Giant Transistor——GTR)、电力场效应晶体管(Power MOSFET )、绝缘栅双极晶体管(Insulated-gate Bipolar Transistor— —IGBT或IGT) 3.1 门极可关断晶闸管 3.1.1 概述 3.1.2 GTO的结构和工作原理 3.1.3 GTO的动态特性 3.1.4 GTO的主要参数 3.1.1 概述 门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor —GTO） 晶闸管的一种派生器件 可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断 GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用 3.1.