模拟电子技术课件1解读.pptVIP

模拟电子技术 教材： 《模拟电子技术基础》 (第四板 ，华成英) 参考书： 1.《电子线路》（线性部分） (第四板 ，谢嘉奎) 2.《电子电路》 (第二板 ，张凤言) 3.《模拟集成电子技术教程》 (邓汉馨) 特点： 含电子器件 模拟电子技术 主要内容： 第一章 常用半导体器件 第二章　 基本放大电路 第三章 多级放大电路 第四章 ??集成运算放大电路 第五章 放大电路的频率响应 第六章 放大电路中的反馈 第七章　 集成运放的应用 第八章　 直流电源 模拟电子技术 1）牢固掌握三基（基本概念、基本电路、基本分析方法）； 2）逐步树立工程观点； *3）引入CAA、CAD技术——运用pspice分析电子线路 4）重视实验 第一章 常用半导体器件 §1-1．半导体基础知识 §1-1．半导体基础知识 §1-1．半导体基础知识 §1-1．半导体基础知识 §1-1．半导体基础知识 §1-1．半导体基础知识 §1-1．半导体基础知识 §1-1．半导体基础知识  §1-1．半导体基础知识 §1-1．半导体基础知识 §1-1．半导体基础知识 §1-1．半导体基础知识 §1-1．半导体基础知识 §1-1．半导体基础知识 §1-1．半导体基础知识 §1-1．半导体基础知识 §1-2．半导体二极管 §1-2．半导体二极管 §1-2．半导体二极管 §1-2．半导体二极管 §1-2．半导体二极管 §1-2．半导体二极管 §1-2．半导体二极管 §1-2．半导体二极管 §1-2．半导体二极管 §1-2．半导体二极管 §1-2．半导体二极管 §1-3．双极型晶体管 §1-3．双极型晶体管 §1-3．双极型晶体管 §1-3．双极型晶体管 §1-3．双极型晶体管 §1-3．双极型晶体管 §1-3．双极型晶体管 §1-3．双极型晶体管 §1-3．双极型晶体管 §1-3．双极型晶体管 §1-3．双极型晶体管 §1-3．双极型晶体管 §1-4．场效应管 §1-4．场效应管 §1-4．场效应管 §1-4．场效应管 §1-4．场效应管 §1-4．场效应管 §1-4．场效应管 2.稳压管的主要参数 1).稳定电压 Uz 2).稳定电流 Iz 3）.额定功耗 PZM 4）.动态电阻rz 5）.温度系数α 一、晶体管的结构及类型 双极型晶体管（BJT）又称晶体三极管、半导体三极管，简称晶体管。 一、晶体管的结构及类型 晶体管的结构示意图 晶体管的符号 构成：三个区、三个极、两个结 二、晶体管的电流放大作用 1.晶体管内部载流子的运动 1).发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE 2）扩散到基区的自由电子与孔穴的复合运动形成基极电流IB 3）集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流IC 2、晶体管的电流分配关系 IE=IEN+IEP=ICN+IBN+IEP IC=ICN+ICBO IB=IBN+IEP-ICBO =IB’-ICBO 又：IE=IC+IB 3、晶体管的共射电流放大系数 1）定义： 共射直流电流放大系数 2）定义： 共射交流电流放大系数 容易证明： 3）定义： 共基直流电流放大系数 4）定义： 共基交流电流放大系数 容易证明： 或 三、晶体管的共射特性曲线 1.输入特性曲线 三、晶体管的共射特性曲线 1.输出特性曲线 1.输出特性曲线 1）.截止区 2）.放大区 3）.饱和区 四、晶体管的主要参数 1.直流参数 1）共射直流电流放大系数 2）共基直流电流放大系数 3）极间反向电流 集－基极反向截止电流ICBO 集－射极反向截止电流ICEO 2.交流参数 1）共射交流电流放大系数β 2）共基交流电流放大系数 3）特征频率fF 3.极限参数 1）最大集电极耗散功率 PCM 2）最大集电极电流 ICM 3）极间反向击穿电压 集－基极反向击穿电压 UCBO 集－射极反向击穿电压 UCEO 射－基极反向击穿电压 UEBO 五、温度对晶体管特性及参数的影响 1.温度对ICBO的影响： 温度每升高100C, ICBO增加约一倍。 2.温度对输入特性的影响 3.温度对输出特性的影响 场效应管(FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。 它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。 一、类型及符号 N沟道 1.结型 P沟道