物理效应与传感器作业解读.pptVIP

1、量子阱结构使垂直腔表面发射激光器（VCSEL） 所谓表面发射是相对于一般端面发射激光器而言，光从垂直于结平面的表面发射。而所谓垂直腔是指激光腔方向（光子振荡方向）垂直于半导体芯片的衬底，即光子振荡方向与光出射方向一致。有源层厚度即为腔长，由于有源层很薄，要在如此短的腔内实现低阈值振荡，除了要求有高增益的有源介质外，还要求有高的腔面反射率，这只有到80年代用MBE和MOCVD等技术制成量子阱材料和分布bragg反射器（DBR）后才有可能。在1984年和1988年先后实现了VCSEL的室温脉冲和连续工作，随着技术的不断改善，其性能迅速提高。VCSEL体积小，阈值低，功耗低，便于制成大规模二维列阵激光器，方便与光纤高效耦合，而且可以输出窄线宽，发散角小的单纵模激光。可用于泵浦固体激光器，光信息并行处理等，它的特点也决定了其在光子集成（PIC）和光电子集成（OEIC）中的重要地位。 2、 变量子阱激光器进一步推动了光纤通信的发展 半导体激光器由于具有体积小，价格低，可以直接调制等优点，已成为光纤通信系统重要组成部分，大容量光纤通信的发展对半导体激光器提出了更高的要求，而量子阱（特别是应变量子阱）半导体激光器具有好的动态特性，低的阈值电流，再引入光栅进行分布反馈（DFB），成为目前高速通信中最为理想的激光源。 3、红光半导体激光器逐渐取代传统的气体激光器 1991年报道了第一个发射波长为634nm（红）的InGaP/InGaAlP应变量子阱激光器，输出功率超过600mW，阈值电流密度为1.7kA/cm2。半导体红光激光器的光束质量不断提高，并以其体积小，价格便宜等优点向传统的He-Ne激光器提出挑战，并在光信息存储，条形码扫描，激光打印和复印及医学等方面的应用上逐步取代了He-Ne激光器的部分市场。 4、蓝绿光激光器 尽管蓝绿光LED早已广泛应用，但相应的半导体激光器却经历了一个相当困难的阶段才开始逼近市场，其中研究较多的是蓝绿光的材料体系和包括掺杂在内的与之相容的材料生长工艺。近几年，蓝绿光半导体激光器取得了几个阶段性的进展。 蓝绿激光的发射需宽带隙（3eV左右）材料，目前研究较多并取得较大进展的材料为III族氮化物（GaN,AlN,InN）。日本日亚（Nichia）化学工业公司Nakamura等人在1997年制作了可连续工作10000小时的InGaN多量子阱蓝光激光器。 由三层35A厚的Si：In0.15Ga0.85N阱层和70A厚的In0.02Ga0.98N垒层组成多量子阱。激射波长为405.83nm，20℃时阈值电流为80mA。 蓝光激光器的发展提高了信息存储的容量，并推动海洋探测技术的发展。对海水来说，蓝绿激光是一个透明窗口，在军事上，可以用这个波段的激光进行探测潜艇位置和潜艇通信、潜艇导航及鱼雷跟踪，在环境科学方面，可以用于海洋污染监测，海底行貌成像等。 量子阱和超晶格的近期进展： 量子限制斯塔克效应QCSE 超晶格子能带的电子研究 量子阱超晶格光电接收器 Wannier—Stark效应 超晶格红外级联激光器 超晶格布洛赫振荡 我国研究成果 半导体所纳米光电子实验室和超晶格国家重点实验室分子束外延(MBE)课题组首先深入系统地研究了InGaAsSb、AlGaAsSb等异质结和量子阱材料的分子束外延生长，通过优化生长温度、V/III族元素束流比等参数，掌握了As/Sb界面控制、应变控制、掺杂等核心技术。在获得了1.7-2.3μm的室温发光量子阱材料基础上，进一步研究了激光器台面腐蚀(刻蚀)、电极制备等工艺，获得了侧壁陡峭的脊型台面、n-GaSb欧姆接触电阻率1×10-4Ωcm2的激光器结构。 结合激光器外延生长和锑化物工艺，研制出InGaSb/AlGaAsSb应变量子阱激光器。激光器采用FP腔窄条8*800μm结构，工作电流450mA时激射波长1.995μm，激射谱半高宽0.35nm。室温连续工作下出光功率达到82.2mW（如图1所示）。进一步提高工作温度至80℃时激光器仍可以连续工作，出光功率达到63.7mW，是目前已有报道的最好结果。 中科院量子级联激光器研究获新进展 量子级联激光器(QCL)是一种基于子带间电子跃迁的中红外波段单极光源，其工作原理与常规的半导体激光器是截然不同的。其激射方案是利用垂直于纳米级厚度的半导体异质结薄层内由量子限制效应引起的分离电子态，在这些激发态之间产生粒子数反转，该激光器的有源区是由耦合量子阱的多级串接组成(通常大于500层)而实现单电子注入的多光子输出。量子级联激光器的指纹特征是工作波长与所用材料的带隙无直接关系，仅由耦合量子阱子带间距决定，从而可实现对波长的大范围剪裁。量子级联激光器的出现开创了利用宽带隙材料研制中、远红外半导体激光器的先河，在中、远红外半导体激光