微电子器件与电路_复习_习题课_B讲解.ppt

微电子器件与电路复习、习题课华侨大学信息学院 杨骁 费米能级 费米能级 在一定的温度热平衡状态下，电子按能级大小具有一定的统计分布规律，即电子在不同的能量的量子态上统计分布几率是一定的。 晶体中的电子遵循费米-狄拉克统计分布规律。费米-狄拉克统计分布函数为： 它反映的是能量为E的一个量子态被一个电子占据的几率。而EF则称为费米能级 (Fermi） 热平衡条件下电子浓度 热平衡条件下空穴浓度 简并与非简并半导体 当导带电子（价带空穴）浓度超过了状态密度Nc（Nv）时，费米能级位于导带（价带）内部，称这种半导体为n（p）型简并半导体。 本征半导体载流子浓度 本征半导体载流子浓度 半导体中的补偿效应 补偿半导体：在同一区域同时含有施主杂质和受主杂质原子的半导体。当半导体材料中的某一区域既掺有施主杂质，又掺有受主杂质，这时就会发生杂质的补偿效应。 可以通过向n型材料扩散受主杂质或向p型材料扩散施主杂质来形成补偿半导体。 当NDNA时，形成n型补偿半导体； 当NAND时，形成p型补偿半导体； 当ND=NA时，形成完全补偿半导体。 电子浓度和空穴浓度简化计算 电子浓度和空穴浓度简化计算 习题： 1.室温下有一块半导体材料掺有的杂质 ⑴请判断该半导体是N型半导体还是P型半导体。 ⑵请计算出电子和空穴的浓度 从两种散射机制上来看：在低温下，晶格振动较弱，因而晶格散射较弱，迁移率受电离杂质散射作用更为明显；在高温下，晶格振动较强，载流子运动速度较快，电离杂质散射作用减弱。 漂移电流密度 载流子的输运： 迁移率与扩散系数 习题1 习题2 习题4 ⑴计算本征硅在室温时的电阻率；⑵ 但掺入百万分之一的砷(As)后，如杂质全部电离，计算其电导率比本征硅的电导率增大多少倍。 （电子和空穴的迁移率分别为1350cm2/(V.s)和500 cm2/(V.s)，假使在杂质浓度小于1×1017cm-3时电子的迁移率为850 cm2/(V.s)，ni=1.5×1010cm-3，硅的原子密度为5×1022cm-3。） 习题5.22 5.24 非平衡载流子的寿命 ? 非平衡载流子在半导体中的平均生存时间称为非平衡载流子寿命，用τ表示。 1/τ称为非平衡载流子的复合几率 单位时间单位体积内复合消失的电子空穴对数目称为复合率R，可表示为：?n/τ 小注入条件：非平衡载流子的产生和复合 P型半导体： 正偏PN结：过剩载流子 热平衡PN结边界条件 正偏PN结边界载流子浓度 加正向偏压后，空间电荷区势垒高度降低，内建电场减弱 正偏PN结边界载流子浓度 例8.1 反偏PN结边界载流子浓度 注入到p（n）型区中的电子（空穴）会进一步扩散和复合，因此公式给出的实际上是耗尽区边界处的非平衡少数载流子浓度。上述边界条件虽然是根据pn结正偏条件导出的，但是对于反偏情况也是适用的。因而当反偏电压足够高时，从上述两式可见，耗尽区边界处的少数载流子浓度基本为零。 假设有个Si材料的PN结二极管，室温为T=300K，其电场分布如图2所示 1）计算该PN结的内建电势差 2）估算外界偏压VD的大小，并且判断该PN结处于正偏还是反偏。 3）计算该PN结的耗尽区电容大小。 * PN结小信号模型：反偏PN结势垒电容 当pn结上外加的反向偏压改变时，pn结中耗尽区的宽度也发生变化，因此pn结两侧耗尽区中的电荷也会随之而发生改变，这种充放电作用就是pn结的电容效应。 空间电荷区宽度随反偏电压改变的微分变量 截面积为 的圆柱形纯Si样品，长1mm，接于 10V电源上，室温下希望通过0.1A的电流，问： ⑴样品的电阻为多少？ ⑵样品的电导率是多少？ ⑶应掺入为多少的施主？（ ） 解答： ⑴ ⑵ ⑶ 在半导体锗材料中，掺入施主杂质浓度ND=1014cm-3, 受主杂质 浓度NA=7×1013cm-3,设室温下本征锗的电阻率为60Ω.cm， 假设电子和空穴的迁移率分别为μn=3600cm2/Vs，μp=1800 cm2/Vs，如流过样品的电流密度为52.3mA/cm2, 求所加的电场 强度。 （提示：假设迁移率不变，杂质完全电离，先求ni,由电中型条件 和n0×p0=ni2求n0和p0，再求电导率和电场） 解： ， 习题3 所以，样品的电导率为： 过剩少数载流子电子的复合率定义为： 过剩多数载流子电子的复合率 N型半导体： 过剩多数载流子电子的复合率定义为： 过剩少数载流子电子的复合率 注意过剩少数载流子寿命和多数载流子浓度有关 则N型半导体少子（空穴）浓度随时间和空间的的变化率： 扩散 漂移项 漂移扩散耦合项 其它 产生 复合 空穴随时间的变