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- 2016-03-13 发布于湖北
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第二章 二极管 2.1 集成电路二极管 2.2 发光二极管 2.3肖特基二极管 2.4 PIN二极管 2.5变容二极管 2.6IMPATT二极管 2.7隧道二极管 2.1 集成电路二极管 最简单的 pn 结二极管 集成电路中隔离的结型二极管的平面工艺流程 电流集边现象 在p形衬底上扩散形成重掺杂的埋层 2.2 发光二极管 材料:直接带隙半导体, 如砷化嫁 机理:当电子从导带跃迁填充价带中的空位时 , 电子和空穴直接复合 , 动量不发生变化。适当地设计半导体结构 , 这一跃迁所释放的能量通常以光子的形式发射出去。 波长:与禁带宽度有关。 2.3 肖特基二极管 由于高的结电容,经典的PN结二极管不太适合于高频应用。肖特基二极管具有低的结电容量,因此可在更高频率下工作。 应用:射频检波器、混频器、衰减器、振荡 器和放大器。 与常规PN二极管具有不同的反向饱和电流机制,它取决于穿过势垒的多数载流子的热电子发射。 Si基肖特基二极管的剖面图 适用于很高频下应用的有附加绝缘环的肖特基二极管 2.4 PIN二极管 应用:高频开关,电阻范围从小于1?~10k? 的可变电阻器(衰减器),射频工作 信号可高达50GHz 。 电压是正向时,表现为受所加电流控制的可变电阻器。 电压是反向时,
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