第2章 半导体二极管(用3学时) 有几个思考题？？详解.pptVIP

mA V E I R 伏安特性实验电路 2.3.2 伏安特性 2.3.2 伏安特性 硅管0.5V,锗管0.1V。 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 外加电压大于死区电压二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 正向特性 反向特性 特点：非线性 硅0.6~0.8V,锗0.2~0.3V。 U I 死区电压 阳 阴 + – 阳 阴 – + 反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。 2.3.3 主要参数 1. 最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压 VBR 3. 反向电流 IR 二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值。 最大反向工作电压VRM——实际工作时，为安全：  VRM ≈ VBR /2 ， 在室温及规定的反向电压下的反向电流值。  硅管：(nA)级； 锗管： (?A)级。 二极管的单向导电性 1. 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。 2. 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正 ）时， 二极管处于反向截止状