半导体匀胶系统研究和优化设计.pdfVIP

摘 要 本文研究了目前半导体光刻工艺技术中匀胶工步的几个技术问题：匀胶腔体在 芯片的高速旋转产生气流的串动挤压胶膜，影响芯片胶膜厚度的均匀性；芯片吸 附在吸盘上一般采用的是真空吸附，吸盘的大小以及真空强度两者对芯片吸附后 产生的形变有一定的影响；背面溅胶的问题，降低背面磨片量；匀胶速率调整； 并且在后面提出了对匀胶机的电机部分的改进。 光刻工艺在整个半导体工业工艺过程中的工序繁杂性，使得光刻技术的稳定 性、可靠性和工艺成品率对产品的质量、成品率和成本有着重要影响。所以，对 光刻工艺的稳定性进行研究对保证产品质量有着重要的意义。而匀胶系统作为光 刻工艺的第一大步，直接影响着后续工步和最终图形的质量。图形的清晰度、线 条过渡区大小、胶的粘度及胶的均匀性能都与离心转速和时间有密切的关系。选 择一个最佳转速和合适的时间是操作者最关心的问题。 本文通过实验主要研究了：匀胶设备的一些局限性对胶膜厚度以及均匀性的 影响；匀胶速度和时间对胶膜厚度以及均匀性的影响；前烘温度和时间对图形显 影效果的影响；通过一系列的实验，得出优化的光刻工艺匀胶系统一些参数。 在论文的过程中，借助 Auto CAD 软件，对新 GCA 匀胶机腔体部分进行了改 造，便于腔体气流的排走和后面为匀胶机加入背面清洗系统的改造，改善了因匀 胶室小且排风不畅产