华磊光电外延芯片介绍概述.ppt

华磊芯片目前方向： 1、以08*15mil芯片成为小尺寸方片的市场主攻方向，光通量可达到5lm以上； 2、不断提升10*23mil品质以满足背光源市场需求； 3、大功率芯片的研发 4、华磊下阶段将向下游延伸，封装线也正在筹划中，目前小量验证线如SMD、Lamp及High-power的封装已经逐渐完善，基本接近国内封装厂水平，为下一步封装线的建立打下良好基础。 外延生长：MO源及NH3由载气传输到反应室，以质量流量计控制气体流量，反应物进入反应室后经载气传输到衬底表面反应形成外延薄膜。 主要设备有MOCVD、活化炉、PL 、X-Ray、PR、镭射打标机等。 一、前工艺 前工艺主要工作就是在外延片上做成一颗颗晶粒。简单的说就是Chip On Wafer的制程。利用光刻机、掩膜版、ICP、蒸镀机等设备制作图形，在一个2英寸的wafer片上做出几千~上万颗连在一起的晶粒。 目前华磊生产的芯片主要有： 小功率：07*09mil、08*12mil、08*15mil 12*13mil、10*16mil… 背光源：10*23mil… 高功率：45*45mil… 设备简介： 黄光室：匀胶机、加热板、曝光机、显影台、金相显微镜、 甩干机、台阶仪 清洗室：有机清洗台、酸性清洗台、撕金机、扫胶机、 甩干机 蒸镀室：ICP、ITO蒸镀机、合金炉管、Pad蒸镀机、PECVD、 扫胶机、手动点测机、光谱仪 二、后工艺 后工艺是将前工艺做成的含有数目众多管芯的晶片减薄，然后用激光切割成一颗颗独立的管芯。 研磨切割设备：上蜡机、研磨机、抛光机、清洗台、粘片机、切割机、裂片机。 FQC:负责检验各种规格的方片或大圆片的电性和外观，合格后判定等级入库。 ORT:抽样进行封装、老化测试。 Chip Top SMD Sideview 结构：倒装芯片、布拉格反射层等 颜色：红外，红，黄，绿，蓝，白，etc. 功率：1W，2W，3W，5W，7W，10W，12W，etc. Power LED 出光面外观类型：圆头，平头，草帽型，钢盔型，etc. 封胶类型：无色透明，无色扩散，有色透明，有色扩散 直径：Φ3，Φ5，Φ8，Φ10，etc. 发光颜色类型：红外，红，黄，绿，蓝，白，全彩，etc. Lamp LED 钢盔 子弹头 草帽 蝴蝶 Lamp 圆头 内凹 平头 方形 贴片式SMD 中功率LED 湘能华磊光电股份有限公司 湘能华磊光电股份有限公司 外延生长 芯片前工艺 研磨、切割 点测、分选 检测入库 蓝宝石衬底 GaN缓冲层 N型GaN : Si 多量子阱有源区（InGaN/GaN） P型GaN：Mg P型InGaN-金属接触层 芯片工艺一般分为前工艺、后工艺、点测分选三部分 ICP 曝光机 PECVD 蒸镀机 做透明导电层 Substrate P--GaN N--GaN 前工艺 UV Substrate N--GaN P--GaN mask UV ITO 做透明导电层 Substrate P--GaN N--GaN ITO 电极 做透明导电层 Substrate P--GaN N--GaN ITO 电极 二氧化硅保护层 1-MESA（刻台阶） 3-做电极 4-做保护层 2-做透明导电层（ITO） 单颗晶粒前工艺后成品图 IPQC（In-Process Quality Control） IPQC主要是对芯片的电性参数做检测，然后品保会根据电性参数来判定晶片是继续下道工序还是需要返工，检测的电性参数主要有： Vf （正向电压） Iv （亮度） ESD（抗静电能力） Ir （逆向电流） Wd （波长） 研磨机 上蜡机 NEW WAVE 激光切割机 JPSA 激光切割机 里德 劈裂机 后 工 艺 切 割 裂 片 研磨抛光 陶瓷盘 晶片背面朝上 AA0234YBBT18 AA0234YBBT18 AA0234YBBT18 切割 研磨 抛光 从晶片背面劈裂， 劈开后晶粒完全分开 研磨是减薄厚度的主要来源，衬底从450um减少至100um 抛光可以使背表面更光滑，并且可以减少应力 裂片 激光切割后的切割线 点测分选的主要工作： 1.点测大圆片或方片上每一颗晶粒电性和光学性能； 2. 将大圆片按照条件表分成规格一致的方片； 3. 吸除外观不良部分，并贴上标签。 设备简介： 点测机、分选机、显微镜等 分选机 点测机