N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管SVF4N60D(F)(T)(K)(M)(MJ)说明书_1.2-L.pdfVIP

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2016-03-14 发布于安徽
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N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管SVF4N60D(F)(T)(K)(M)(MJ)说明书_1.2-L.pdf

SVF4N60D/F/T/K/M/MJ 说明书 4A 、600V N沟道增强型场效应管描述 SVF4N60D/F/T/K/M/MJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。特点 ∗ 4A ，600V，R =2.0 Ω@V =10V DS(on) （典型值） GS ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了 dv/dt 能力命名规则产品规格分类产品名称封装形式打印名称材料包装 SVF4N60T TO-220-3L SVF4N60T 无铅料管 SVF4N60F TO-220F-3L SVF4N60F 无铅料管 SVF4N60K TO-262-3L SVF4N60K 无铅料管 SVF4N60D TO-252-2L SVF4N60D 无铅料管 SVF4N60DTR TO-252-2L SVF4N60D 无铅编带 SVF4N60MJ TO-251J-3L SVF4N60MJ 无铅料管 SVF4N60M TO-251D-3L SVF4N60M 无铅料管版本号：1.2 2012.01.18 共11页第1页 SVF4N60D/F/T/K/M/MJ 说明书极限参数(除非特殊说明，T =25°C) C 参数范围参数名称符号 SVF4N SVF4N SVF4N SVF4N SVF4N 单位 60T 60F 60D/M 60MJ 60K 漏源电压 VDS 600 V 栅源电压 VGS ±30 V T =25°C 4.0 C 漏极电流