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SVD50N06T(D)(MJ)说明书_0.4.pdf
SVD50N06T/D/MJ 说明书
50A、60V N沟道增强型场效应管
描述
SVD50N06T N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采
用士兰微电子新型平面低压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺
及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的
开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于电子镇流器，低功率开关电源。
特点
∗ 50A，60V，RDS(on)(典型值)=18mΩ@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了 dv/dt 能力
命名规则
产品规格分类
产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装
SVD50N06T TO-220-3L SVD50N06T 无铅 料管
SVD50N06D TO-252-2L SVD50N06D 无铅 料管
SVD50N06DTR TO-252-2L SVD50N06D 无铅 编带
SVD50N06MJ TO-251J-3L SVD50N06MJ 无铅 料管
杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：0.4 2012.05.28
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SVD50N06T/D/MJ 说明书
极限参数(除非特殊说明，T =25°C)
C
参数范围
参 数 符 号 单位
SVD50N06T SVD50N06D SVD50N06MJ
漏源电压 VDS 60 V
栅源电压 VGS ±20 V
T =25°C 50
C
漏极电流 ID A
T =100°C 31.62
C
漏极
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