ZnO薄膜结构特性的研究.pdf

芦bj，●．曾硕士论爻 ZnO薄膜结构特性研究 摘要 f 1 ZnO是一种具有纤维锌矿结构的半导体材料，作为一种具有宽带隙、低介电 常数、高化学稳定性及饯彤々光电、压电特性的功能材料在许多领域尤其是光电 l／ 器件领域有着重要应用。，本文的ZnO薄膜样品是采用电子束反应蒸镀的方法， 在单晶si(ooD及玻璃衬底上低温外延生长了沿C轴高度取向的单晶ZnO薄膜。 本文从三个方面入手分析研究了薄膜生长条件(不同的衬底、不同的生长温度) 对ZnO薄膜的结构特性的影响，并作了相应的比较。通过对ZnO薄膜的x射线 结构以及对ZnO薄膜的喇曼(Raman)散射光谱的分析比较，研究了不同衬底 材料的结构特性、不同的生长温度对ZnO薄膜的晶体结构特性的影响。结果表 明，采用电子束反应蒸镀法在较低温度下在单晶Si(001)2殳玻璃衬底上外延生长 ZnO薄膜的显微结构显示其表面非常平整，膜层致密性好，表面平均不平整度分 得出富Zn的ZnO薄膜对蓬壁竺垄生塑和光学特性的影响。本丈对ZnO薄膜所 做的研究分析，为ZnO薄膜在光电子领域的开发、应用作了一定的工作。 ，々，，z妒硕士论文 ZnO薄膜结构特性研究 Abstract hasawurtzite awide ZnO，which sttlucture，is crystal 37ev)，low bandgap(Eg=3 dielectricconstantand chemical ofits semiconductor．Because high stability electrical ZnOthinfilm optical，andpiezoelectric has properties，Epitaxial manypotential inthe fields．This inthe applications，especiallyoptoelectronic paperengaged researchworkoftheinfluencesofdifferentconditionson features thin growth ofZnO filmsinseveral inthe ofdifferentsubstratesand aspects，especiallyimpacts growth this reactiveelectron temperatures，respectively．In paper，a beam(e—beam) low wasusedforthe of ZnOthin