ZnO基稀磁半导体磁特性的研究第一性原理计算.pdf

摘要 摘要 本文利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，通过构建多种模型，研 究了理想ZnO的电子结构，并考察了固有缺陷对ZnO电子结构的影响。对有空 位缺陷和无空位缺陷的V、Mn掺杂的ZnO稀磁半导体材料电子结构和磁学特性 分别进行了分析，探讨了掺杂系统中磁相互作用的机理。 理想ZnO的态密度和能带分析结果证明，该体系的电子结构呈现为直接带隙 被向上和向下排斥而形成禁带。具有0空位和Zn空位缺陷的ZnO体系的计算表 明：两种缺陷的引入都将导致ZnO禁带宽度的增加；0空位在ZnO导带附近形成 施主能级，而Zn空位在ZnO的价带附近形成受主能级。 态的pd杂化，Zn空位的引入使V原子3d轨道电子布居数减少，pd轨道杂化中 P分量增加和d轨道分量减少，系统铁磁性减小。而引入的O空位缺陷和V杂 质态具有相近的能级，O空位中的电子跳跃到V的未占满3d轨道，并占据高自 旋态，导致系统的铁磁耦合增强。另外，自旋密度图分析表明，Zn空位有利于 电子沿少数自旋方向排列，O空位有利于电子沿多数自旋方向排列，所以Zn空 位使V掺杂的ZnO铁磁性减弱，O空位使V掺杂的ZnO铁磁性增强。 Mn掺杂ZnO的电子结构计算结果显示，随Mn原子在ZnO晶格中的替代 位置变化，体系可表现出铁磁、反铁磁或顺磁特性；当体系表现为反铁磁性时， 0空位的引入使体的反铁磁性稳定性增强。zn空位的存在将会使掺杂体系从反 铁磁转变为铁磁性，该结果归因于Mn的3d态和Zn空位的杂质态处于相近的能 级位置，二者的杂化使体系转变成铁磁性，同时，Zn空位导致的Mn3d和02p 杂化的增强也将导致磁性粒子之间的铁磁相互作用增强。 关键词第一性原理稀磁半导体缺陷铁磁性 Abstract Abstract and diluted TheelectronicstructuresofZnO Mn,V ZnO—based doped magnetic andwithoutdefectswerecalculatedthe calculation semiconductorswinl by first-principles basedon functional influencesofintrinsicdefectsonthebandstructureof density theory．The ZnOwere andthe interactionsintheZnMnOandZnVO were investigatedmagnetic systems analyzed． showsthat ZnOisadirect The of ofstatesandbandstructures band analysisdensity pure anditsband isformed the and semiconductor gap throughbondinganti-bonding gap ale andZn4sSOthantZn4sstatesand states interactionsbetween 02p 02p re