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晶体二极管基础知识及检测方法 [主要参数] 　　　　[常用二极管] 　　 [选用常识] 　　 [检测方法] 二、极管基础知识 1.二极管的主要参数 反向电流IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。 结电容C：电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。最高工作频率FM：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。 2.常用二极管 （a)全密封金属结构 （b）塑料封装 （2）? 检波二极管 检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。（3）开关二极管　　 在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。开关二极管有接触型，平面型和扩散台面型几种，一般IF＜500毫安的硅开关二极管，多采用全密封环氧树脂，陶瓷片状封装，如图三所示，引脚较长的一端为正极。 图3、硅开关二极管全密封环环氧树脂陶瓷片状封装 （4）稳压二极管 稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）其图形符号见图4 图4、稳压二极管的图形符号 稳压管的伏安特性曲线如图5所示，当反向电压达到Vz时，即使电压有一微小的增加，反向电流亦会猛增（反向击穿曲线很徒直）这时，二极管处于击穿状态，如果把击穿电流限制在一定的范围内，管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。 图5、硅稳压管伏安特性曲线 （5） 变容二极管 变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中，变容二极管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系，并提高Q值以适合应用。　　 变容二极管的结构与普通二极管相似，其符号如图6所示，几种常用变容二极管的型号参数见表一 图6、变容二极管图形符号 表一 常用变容二极管 型号 产地 反向电压（V） 电容量（pF 电容比 使用波段 最小值 最大值 最小值 最大值 2CB11 中国 3 25 2.5 12 ? UHF 2CB14 中国 3 30 3 18 6 VHF BB125 欧洲 2 28 2 12 6 UHF BB139 欧洲 1 28 5 45 9 VHF MA325 日本 3 25 2 10.3 5 UHF ISV50 日本 3 25 4.9 28 5.7 VHF ISV97 日本 3 25 2.4 18 7.5 VHF ISV59.OSV70/IS2208 日本 3 25 2 11 5.5 UHF  3.二极管的选用常识 （1）正向特性 另在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。（2）反向特性　　二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段）。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。（3）击穿特性　　当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III）。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。　　（4）频率特性由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。 二、二极管检测方法 1.普通二极管的检测 R×100或×1K档）具体方法如表一。表一 二极管简易测试方法 项目 正向电阻 反向电阻 测试方法 测试情况 硅管：表针指示位置在中间或中间偏右一点；锗管：表针指示在右端靠近满刻度的地方（如图所示）表明管子正向特性是好的。如果表针在左端不动，则管子内部已经断路 硅管：表针在左端基本不动，极靠近OO位置，锗管：表针从左端起动一点，