电子元器件应用-基于混合PN_肖特基结构新一代600VSiC肖特基二极管.pdfVIP

基于混合PN/肖特基结构的新一代600V SiC 肖 特基二极管 作者：Peter Wannian Huang （黄万年）*、Junyang Luo （罗俊扬）** *英飞凌科技香港有限公司，地址：香港九龙塘达之路80 号又一城3 字楼302 室 ** 英飞凌科技亚太有限公司，地址：新加坡加冷区8 号，349282 电子邮件：Peterwn.huang@ ；junyang.luo@ 摘要—— 英飞凌推出了第二代碳化硅（SiC ）肖特基二极 II. 结构创新 管——thinQ!2G™。该二极管是由一个肖特基结构和一个与它 平行的独特的低电阻 PN 结结构组成，因此具备更加强大的浪 2001 年，英飞凌科技公司推出了第一个 600V SiC 肖 涌电流处理能力，同时又继承了第一代碳化硅肖特基二极管所 特基二极管。SiC 肖特基二极管实现了真正的零反向恢 实现的良好的动态性能。本文将论述该碳化硅肖特基二极管的 复电荷。然而，相比于具备同样功能的 Si PN 二极管， 一些基本属性。此外，还将详细阐述该二极管因融合了 PN 结 SiC 肖特基二极管承受浪涌电流的能力并不高。跟 Si 肖 结构而实现的一些新特性。 特基二极管一样，这会导致器件在高负载电流下发生热 击穿。 I. 导言 在含有功率因数校正（PFC ）的升压型变换器（图 1 ）中，通常将一个快速关断二极管用作整流升压之用。 这个整流二极管最理想的特性是它可以像一个理想的二 极管那样执行开关动作——既不会产生反向恢复电荷， 又能够在任何负载和温度条件下及时完成开关。基于这 个原理，旨在提供理想的开关动作的碳化硅（SiC ）肖特 基二极管诞生了。随着高功率密度、高开关频率以及高 效率等趋势日益显著，SiC 肖特基二极管也得到了越来 越广泛的应用。 图.2.第一代SiC 肖特基二极管横截面示意图 图3. 具有低电阻触点的嵌入式P 型掺杂岛的 图.1. 单相升压型PFC 变换器 第二代SiC 肖特基二极管横截面示意图 在出现高电流脉冲时，如果能使二极管中产生双极电 MOSFET 在开启过程中往往会产生极高的峰值电流。采 流，就能提高其浪涌电流处理能力。我们通过实现“ 混 用有源或无源软开关技术，可以通过一个软开关电路将 合 PN/肖特基结构” ，实现了这个目标。相比于最初的 反向恢复电流旁路后再送回电路，从而降低 MOSFET 上 SiC 肖特基二极管（图 2 ），第二代SiC 二极管 的电流应力、启动损耗并提高 EMI 性能。但是，这种方 thinQ!2G™ （图3 ）是一个嵌入了P 型掺杂岛的肖特基二 法会增加变压器的复杂度，并降低整个电路的可靠性。 极管。这种结构有两大优点。首先，这种结构能够在发 采用 SiC 肖特基二极管的升压变换器不用借助这种软开 生高浪涌电流时形成双极电流通道。只要达到SiC PN 结 关单元就能实现相同的目标。这完全是归功于其零反向 的阈值电压（3V 左右），就会出现这种状况。在正常的 恢复电流，这种变换器并且能够在非常高的开关频率下 工作条件下，SiC 较高的PN 结电势将阻止PN 结导电。 运行。 然而，在过载条件下，例如，启动时产生的浪涌电流或 B. 更加强大的浪涌电流处理能力 者在输入电源瞬间断电测试中，正向电压将超过 PN 结 电势，于是高电流就能通过 PN 结。第二，在反向操作 从图 5 可以看出传统 SiC 肖特基二极管与第二代 SiC 过程中，P 区域边缘最容易发生雪崩击穿。这将导致芯 肖特基二极管 thinQ!2G™在