第三章薄膜的物理气相沉积(Ⅱ)精要.pptVIP

* 液相外延生长薄膜原理： 液相外延生长原理上讲是从液相中生长膜，溶有待镀材料的溶剂是液相外延生长中必需的。当冷却时，待镀材料从溶液中析出并在相关的基片上生长。对于液相外延生长制备薄膜，溶液和基片在系统中保持分离。在适当的生长温度下，溶液因含有待镀材料而达到饱和状态。然后将溶液与基片的表面接触，并以适当的速度冷却，一段时间后即可获得所需的薄膜。 * Nelson开发液相外延生长GaAs后，液相外延生长成为一种制备薄膜的常用技术。 三个基本生长技术： 1. 由Nelson研制的倾动式炉 * 2. 浸透技术（如图3－71所示） 垂直生长系统中，基片被浸入到某一温度下的溶液中，在适当的温度下，从溶液中提拉基片，即基片的垂直运动控制基片与溶液的接触。 * 3. 滑动系统（如图3－72所示） 在简单的滑动系统中，熔体被包围在由石墨盘构成并且可以滑动的热源里。基片放置在热源外部靠后的区域。一旦确立了生长条件，滑板即可移动将基片放置在熔体下面，实现沉积。 * 液相外延生长已发展成为制备各种材料膜（常用制备Ⅲ－Ⅴ族和合金膜）的一种非常有用的技术。尽管也可以利用其他生长技术，但要获得高质量材料，液相外延生长是主导技术。 * 讨论 1）溅射的含义以及基本原理。 2）以伏安特性曲线描述气体直流辉光放电现象。 3）溅射阈值、溅射产额。 5）什么是反应溅射中的靶中毒？如何避免？ * 靶中毒： 在