基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅LDMOS阈值电压模型.pdfVIP

第 5 期 电　　子 　　学 　　报 Vol . 35 　No . 5 　2007 年 5 月 ACTA ELECTRONICA SINICA May 　2007 　 基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅 LDMOS 阈值电压模型 代月花 ,高 　珊 ,柯导明 ,陈军宁 (安徽大学电子科学与技术学院 ,安徽合肥 230039) 　　摘 　要 : 　本文提出了一种新型的复合多晶硅栅 LDMOS 结构. 该结构引入栅工程的概念 ,将 LDMOST 的栅分为 n 型多晶硅栅和 p 型多晶硅栅两部分 ,从而提高器件电流驱动能力 ,抑制 SCEs ( short channel