第 1的 章 电路及电路元件课件.pptVIP

(3) 特性曲线 转移特性曲线 ID/mA UDS/V o UGS= 1V UGS= 2V UGS= 3V UGS= 4V 漏极特性曲线 恒流区 可变电阻区 截止区 无沟道 有沟道 UGS/V UGS(th) UDS=常数 ID/16mA O 开启电压UGS(th） N型衬底 P+ P+ G S D 符号： 结构 (4) P沟道增强型符号 SiO2绝缘层 加电压才形成 P型导电沟道 增强型场效应管只有当UGS ? UGS(th）时才形成导电沟道。 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 G S D 符号： 如果MOS管在制造时导电沟道就已形成，称为耗尽型场效应管。 (1 ) N沟道耗尽型管 SiO2绝缘层中 掺有正离子 予埋了N型 导电沟道 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 由于耗尽型场效应管预埋了导电沟道，所以在UGS= 0时，若漏–源之间加上一定的电压UDS，也会有漏极电流 ID 产生。 当UGS 0时，使导电沟道变宽， ID 增大； 当UGS 0时，使导电沟道变窄， ID 减小； UGS负值愈高，沟道愈窄， ID就愈小。 当UGS达到一定负值时，N型导电沟道消失， ID= 0，称为场效应管处于夹断状态（即截止）。这时的UGS称为夹断电压，用UGS(off）表示。