电子技术(三极管及放大电路)要点.ppt

图2.1 三极管的外形、内部结构示意图及符号 以NPN型为例， 通过实验来了解 半导体三极管的 放大原理和其中 的电流分配情 况，实验电路 如图2.3所示。 将三极管接成两个电路： 一个是由UCC正极→电阻RB→基极→发射极→UCC负 极，称为基极回路。 另一个是由UCC正极→电阻RC→集电极→发射极 →UCC的负极，称为集电极回路。 可见，发射极是两个回路所共用的，所以这种接 法称为共发射极电路。 改变RB，则基极电流IB、集电极电流IC和发射极电流IE 都发生变化，电流方向如图1.18所示，测试结果列于表2.1中。 表2.1 实验测试数据 由实验及测试结果可得出如下结论： （1）三个电流符合基尔霍夫定律，即 （2-1） 且基极电流IB很小，忽略IB不计，则有IE≈IC （2）三极管有电流放大作用，从实验数据可以 看出，IC与IB的的比值近似为一个常数，即 基极电流IB的微小变化能引起集电极电流IC较大的变化， 即： 以上两式中的 和 分别称为晶体管的直流和交流 电流放大系数。 从表1.1中可以看出， ，且在一定范围内几乎 不变，故工程上不必严格区分，估算时可以通用。 IB 0 曲线与横轴之间的区域是截止区。 此时发射结反偏，集电结反偏。 对NPN型硅管，当UBE小于死区电压时，即已开始截止，但是为了截止可靠，常使UBE＜0。 在截止区，IB 0，IC ICEO≈0（ICEO称为穿透电流），UCE≈UCC。 C，B，E 3个电极间相当于开路，其等效电路如图2.6（b）所示。 IC随UCE的增大而增大的区域是饱和区。 此时发射结正偏，集电结正偏。UBE 0，UBC 0 NPN管，当UCE＜UBE时，三极管工作于饱和状态。 此时IB的变化对IC的影响较小，IC ??IB，其管压 降UCE称为饱和压降UCES，一般硅管约为0.3V， 锗管约为0.1V，都可近似为0V。 因UCES≈0，C，E极近似于短路，UBE≈0.7V， B，E极也近似于短路，等效电路如图2.6（c）所示。 可见，三极管具有开关作用，它相当于一个由 基极电流控制的无触点开关，截止时相当于开 关断开，饱和时相当于开关闭合。 在模拟电路中，三极管常用做放大元件，工作 在放大区； 在数字电路中，三极管常用做开关元件，工作 在截止区和饱和区。 三极管工作区的判别分析非常重要，当放大电 路中的三极管不工作在放大区时，放大信号 就会出现严重失真。 例2.1 已知图2.7中各晶体管均为硅管，测得各管脚 的电压值分别如图中所示值，试判别各晶体管的 工作状态。 解：⑴ a图，UBE 0.7V＞0，发射结正偏， UBC 0.5V＞0，集电结正偏， 故可判断它工作在饱和区。 ⑵ b图中，UBE 0.7V＞0，发射结正偏， UBC －5.3V＜0，集电结反偏， 故可判断它工作在放大区。 ⑶ c图中，UBE 0V，发射结零偏， 可直接判断其工作在截止区。 1. 三极管的主要参数 （1）电流放大系数? ? 是指输出电流与输入电流的比值，用于衡量晶体管电 （3）穿透电流ICEO ICEO是基极开路时集-射极之间的电流。 由于这个电流似乎是从集电区穿过基区流至发射区， 所以称为穿透电流。 这个电流越小，表明晶体管的质量越好。 一般硅管的ICEO远小于锗管，所以一般选用硅管。 ICEO与ICBO有下列关系： ICEO 1+? ICBO （2-4） （4）极限参数 ① 集电极最大允许电流ICM IC过大时，? 值明显下降，当? 值下降到2/3时的集电 极电流IC，称为集电极最大允许电流ICM。 作为放大管使用时，IC不宜超过ICM，超过时会引起 ? 值下降、输出信号失真，过大时还会烧坏管子。 ② 集-射极反向击穿电压U（BR）CEO 它是基极开路时加在集-射极之间的最大允许电压。 当三极管的集-射极电压大于此值时，ICEO大幅度上升， 说明三极管已被击穿。 电子器件手册上给出的一般是常温（25℃）时的值。 ③ 集电极最大允许耗散功率PCM 由于集电极电流在流经集电结时要产生功率损耗，使 结温升高，从而会引起晶体管参数变化。 当晶体管因受热而引起的变化不超过允许值时，集电极 所消耗的最大功率，称为集电极最大允许耗散功率PCM。 PCM ICUCE 工作时，应使PC＜PCM， 晶体管的工作点不可进入 图2.6（a）所示的过耗区。 应使PC＜PCM。 2. 温度对晶体管参数的影响 严格来说，温度对三极管特性和所有参数都有影响，但 受影响最大的是以下三个参数。 （1）温度对? 的影响。三极管的? 值会随温度的变化而变 化，温度每升高1℃，? 值增大0.5%～1%。 （2）温度对ICB