嵌入式系统的存储器系统要点.ppt

第4章 嵌入式系统的存储器系统 4.1 存储器系统概述 4.1.1 存储器系统的层次结构 计算机系统的存储器被组织成一个6个层次的金字塔形的层次结构，位于整个层次结构的最顶部S0层为CPU内部寄存器 S1层为芯片内部的高速缓存（cache） 内存S2层为芯片外的高速缓存（SRAM、DRAM、SDRAM 、 DDRAM） S3层为主存储器（Flash、PROM、EPROM、EEPROM） S4层为外部存储器（磁盘、光盘、CF、SD卡） S5层为远程二级存储（分布式文件系统、Web服务器） 4.1.2 高速缓冲存储器 在主存储器和CPU之间采用高速缓冲存储器（cache）被广泛用来提高提高存储器系统的性能，许多微处理器体系结构都把它作为其定义的一部分。cache能够减少内存平均访问时间。 Cache可以分为统一cache和独立的数据／程序cache。在一个存储系统中，指令预取时和数据读写时使用同一个cache，这时称系统使用统一的cache。如果在一个存储系统中，指令预取时使用的一个cache，数据读写时使用的另一个cache，各自是独立的，这时称系统使用了独立的cache，用于指令预取的cache称为指令cache，用于数据读写的cache称为数据cache。 4.2 嵌入式系统存储设备分类 存储器是嵌入式系统硬件的重要组成部分，用来存放嵌入式系统工作时所用的程序和数据。嵌入式系统的存储器由片内和片外两部分组成。 在微机系统中，存储器可分为主存储器（Main Memory简称内存或主存）和辅助存储器（Auxiliary Memory，Secondary Memory，简称辅存或外存）。 内存是计算机主机的一个组成部分，一般都用快速存储器件来构成，内存的存取速度很快，但内存空间的大小受到地址总线位数的限制。更多的系统软件和全部应用软件则在用到时由外存传送到内存。 外存也是用来存储各种信息的，存放的是相对来说不经常使用的程序和数据，其特点是容量大。外存总是和某个外部设备相关的，常见的外存有软盘、硬盘、U盘、光盘等。 S3C2410存储器扩展 4.3 NOR Flash接口电路 4.3.1 NOR Flash存储器Am29LV160D Am29LV160D是AMD公司的一款NOR Flash存储器，存储容量为2M×8Bit/1M×16Bit，接口与CMOS I/O兼容，工作电压为2.7～3.6V，读操作电流为9mA，编程和擦除操作电流为20mA，待机电流为200nA。采用FBGA-48、TSOP-48、SO-44 三种封装形式。 Am29LV160D仅需3.3V电压即可完成在系统的编程与擦除操作，通过对其内部的命令寄存器写入标准的命令序列，可对Flash进行编程（烧写）、整片擦除、按扇区擦除，以及其他操作。以16位（字模式）数据宽度的方式工作。更多的内容请登录www.AMD.com，查找资料“Am29LV160D 16 Megabit (2 M×8-Bit/1 M×16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory”。 Am29LV160D的逻辑框图如图4.3.1所示，引脚端功能如表4.3.1所示。 4.4 NAND Flash接口电路 4.4.1 S3C2410A NAND Flash控制器 1．S3C2410A NAND Flash控制器特性 S3C2410A可以在一个外部NAND Flash存储器上执行启动代码，用来实现这一想法。为了支持NAND Flash的启动装载（boot loader），S3C2410A配置了一个叫做“Steppingstone”的内部SRAM缓冲器。当系统启动时，NAND Flash存储器的前4KB将被自动加载到Steppingstone中，然后系统自动执行这些载入的启动代码。 在一般情况下，启动代码将复制NAND Flash的内容到SDRAM中。使用S3C2410A内部硬件ECC功能可以对NAND Flash的数据的有效性进行检查。在复制完成后，将在SDRAM中执行主程序。 NAND Flash控制器具有以下特性。 NAND Flash模式：支持读／擦除／编程NAND Flash存储器。 ● 自动启动模式：复位后，启动代码被传送到Steppingstone中。传送完毕后，启动代码在Steppingstone中执行。 ● 具有硬件ECC产生模块（硬件生成校验码和通过软件校验）。 ● 在NAND Flash启动后，Steppingstone 4KB内部SRAM缓冲器可以作为其他用途使用。 ● NAND Flash控制器不能通过DMA访问，可以使用LDM/ STM指令来代替DMA操