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双气流MOCVD生长GaN装置 MOCVD 英国Thomas Swan公司制造，具有世界先进水平的商用金属有机源汽相外延(MOCVD)材料生长系统，可用于制备以GaN为代表的第三代半导体材料 外延片 为什么有个缺口呢？ 倒角：晶片经过切割后边缘表面有稜角毛刺崩边甚至有裂缝或其它缺陷，边缘表面比较粗糙。为了增加切片边缘表面机械强度、减少颗粒污染，就要将其边缘磨削呈圆弧状或梯形。 光刻ITO 剥离、合金 光刻胶 ITO P-GaN 金电极 衬底 缓冲层 N-GaN MQW 光刻电极 蒸镀电极 ICP刻蚀 外延片 ITO 光刻ITO 甩 胶 前 烘 曝 光 显 影 坚 膜 腐 蚀 ITO氧化铟锡是Indium Tin Oxides的缩写。 　　 作为纳米铟锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性，可以切断对人体有害的电子辐射，紫外线及远红外线。因此，喷涂在玻璃，塑料及电子显示屏上后，在增强导电性和透明性的同时切断对人体有害的电子辐射及紫外线、红外线。 掩膜板 光刻ITO 甩胶：将少许光刻胶滴在外延片上，用匀胶台在高速旋转 后形成均匀的胶膜。 前烘：使光刻胶的溶剂挥发，用于改善光刻胶与样品表面的 粘附性。 曝光：用紫外光通过光刻板曝光，曝光的区域发生化学变化。 曝光原理图 手动曝光机 显影后的图形 腐蚀：用36%-38%的盐酸腐蚀ITO