第三章半导体中载流子的统计分布-朱俊-09！.ppt

典型半导体GaAs、Si以及Ge发生简并时所需的杂质浓度： NA（cm-3） ND（cm-3） Ge >1018 >1018 Si >1018 >1018 GaAs >1013 >1017 解上面方程（22）和（23），消去 其中， 的有一根无用 结果讨论： 去掉高级项 显然：n0》p0，这时的过渡区接近于强电离区。 少子数量虽难很少，但在半导体器件的工作 中起很重要的作用。 多数载流子（多子） n0 少数载流子（少子） p0 （3）高温本征激发区 ND 0 T n ni Note: 掺杂浓度高， 达到本征激发 的温度就高。 室温就可达到 如 如 T=600K 2. P型半导体的载流子浓度和费米能级 (1) 低温弱电离区 (2) 饱和电离区 po=NA，no=ni2/NA (3) 过渡区 T↑，EF↑ (4)本征激发区 定性讨论： 杂质半导体载流子浓度和费米能级由温度和杂质浓度决定。对于杂质浓度一定的半导体，随温度升高，载流子以杂质电离为主过渡到以本征激发为主。相应地费米能级从位于杂质能级附近移到禁带中线处。费米能级既反映导带类型，也反映掺杂水平。 EF EF EA 强p型 （a） EF EF Ei （b） （c） （d） （e） p型 本征 n型 强n型 EF ED 实际计算中注意点： 计算掺杂半导体的载流子浓度时，需首先考虑属于何种温区。 一般：T：300K左右，且掺杂浓度＞＞ni 属于饱和电离区 N型：no=ND—NA 或 no=ND P型：po=NA—ND 或 po=NA 三、工作温区的确定 1.??已知工作温度(Tmin—Tmax)确定掺杂范围(ND)min—(ND)max ?由Tmax确定(ND)min ● 根据Tmax，由lnni ~1/T曲线查出 Tmax对应的ni；（图3－7，或表3－2） ● 根据ni的公式计算出Tmax所对应的ni； 最小掺杂浓度比ni 多一个数量级 由Tmin确定最大掺杂(ND)max： 要达到全电离，要求ED＞＞EF ，即EF下降到ED 以下若干个kT。 在强电离区： (3-48) 一般：D-=0.1，达到全电离。 在一定温度下，NC 和△ED 可知 可求出全部电离 杂质浓度的上限 例：计算工作温度在室温到500K的掺P的 Si半导体的施主浓度范围。 工作温区对应于强电离区 Tmin=300K，Tmax=500K 1、室温时：NC=2.8×1019/cm3，△ED=0.044ev (ND)max=3×1017/cm3 (ND)min=10ni(500K) 查表得：T=500K时，ni=5×1014/cm3 (ND)min=5×1015/cm3 2. 已知杂质范围确定工作温区 (ND)min→Tmax (ND)max→Tmin §3.5 一般情况下（即杂质补偿情况）的载流子统计分布（自学） 一般求解方法： §3.6 简并（重掺杂）半导体 （理解） 一、简并半导体的载流子浓度 一般NC＞ND ，或NC＞ND－NA ，因而费米能级在导 带EC 之下，在禁带之中。如EF 进入导带或价带，说 明掺杂很高，还有导带底或价带顶的量子态被电子或 空穴占据。考虑泡利不相容原理，用费米分布函数。 N 半导体处于饱和区时，其费米能级为： 1、EF位于导带中 EF非常接近或进入导带时，Ec-EF＞＞k0T的条件 不满足，导带电子浓度必须用费米分布求解。 其中： 费米积分 （J为整数和半整数） ξ -4 -3 -2 -1 -1/2 0 1/2 F1/2(ξ) 0.016 0.043 0.115 0.29 0.45 0.689 0.99 1 2 3 4 1.396 2.502 3.977 5.771 反映了费米能级 和导带的距离 2. EF位于价带中 二、简并条件 非简并： 玻氏分布 简并： 费米分布 0·1 -4 -2 0 2 4 6 8 0.2 0·5 2 5 10 20 费米 经典 no 1 开始 EC－EF > 2kT，非简并 0 ＜ E