电子科大《集成电路工艺》第十八章精要.ppt

* 这些优点使得CMP技术区别于不能进行全局平坦化、而只是平滑局部表面起伏的传统平坦化技术.采用CMP技术也存在着困难. CMP技术对集成金属和介质层，以及双大马士革工艺互连很重要。对CMP工艺的控制是关键的 * CMP在制造中用来减小硅片厚度的变化和表面形貌的影响。硅片的平整度和均匀性的概念在描述CMP的作用方面很重要。平整度描述从微米到毫米范围内硅片表面的起伏变化。均匀性是在毫米到厘米尺度下测量的，反映整个硅片上膜层厚度的变化。因此，一个硅片可以是平整的，但不是均匀的，反之亦然。理解这种情况的一种方法是考虑一下已被平坦化的硅片上不同区域的均匀程度，硅片上两个特殊区域能够被抛光得很平整，但硅片上每一个这样的区域被抛光为不同的厚度。硅片表面上每个区域相对于它自己来说都其有很好的平整度，但彼此之间比较时均匀性就很差。 平整度(DP)指的是，相对于CMP之前的某处台阶高度，在做完CMP之后，这个特殊台阶位置处硅片表面的平整程度。因此，DP与某一特殊图形有关，DP可通过下式来计算: : * 用来平坦化硅片的CMP的微观作用是化学和机械作用的结合。不能使用一个完全的机械过程，如用砂纸来磨一块板子。因为这样一个研磨过程会损伤硅片的表面，带来沟槽和擦伤。 氧化硅抛光是半导体硅片制造中最先和最广泛使用的CMP平坦化工艺。氧化物机械抛光是用来全局平坦化金属层之间淀积的ild介质的。氧化硅抛光速率。或者叫去除速度，用Preston方程来表达，方程中有多个参数影响抛光速率，如果加大压力或速度，那抛光速率就会增加。 * 氧化硅CMP的基本机理是Cook理论，与抛光光学玻璃是同样的机理。在基本磨料中，磨料中的水与氧化硅反应生成氢氧键（Si与氢氧键键合），这种反应称为表面水合作用，氧化硅的表面水合作用降低了氧化硅的硬度、机械强度和化学耐久性。抛光过程中，在硅片表面会由于摩擦而产生热量，这也降低了氧化硅的硬度。这层含水的软表层氧化硅被磨料中的颗粒机械地去掉。在硅片中较高的区域，局部的压力大于较低的区域。由Preston方程可知，高处的氧化硅的抛光速率较快，从而产生平坦化. * 金属抛光金属CMP的机理与氧化硅抛光的机理不同。一个最简化的模型是用化学氧化和机械研磨机理来解释金属抛光。磨料与金属表面接触并氧化它;例如，在铜CMP中，铜会氧化生成氧化铜和氢氧化铜。然后这层金属氧化物被磨料中的颗粒机械地磨掉。一旦这层氧化物去掉，磨料中的化学成分就氧化新露出的金属表面，然后又被机械地磨掉，这一过程就这样重复进行。最近对金属CMP机理的研究发现，金属的化学氧化和氧化的金属层的分解比机械研磨更重要，这意味着对金属CMP而言，仔细控制磨料的化学特性是重要的。大部分的CMP工艺已成为一个两步的抛光过程。第一步抛光是最主要的去除材料的步骤，第二步抛光是一个只用去离子水〔或可能是一种独特的磨料)清洗的步骤.采用第二步的主要原因是是为了消除硅片表面上的微小擦痕和颗粒，为进行CMP后清洗工艺做准备。 * 能用CMP技术获得的平整度主要受这种平坦化技术对图形敏感的特性影响。图形间距窄的区域，即高图形密度区域，通常比宽图形间距区域的抛光速度快。小而孤立凸出的图形在平坦化过程中承受较大的压力.抛光速度较快。反过来说，低处图形承受较小的压力，抛光速度较慢。对高性能集成电路来说，抛光速度的变化能显著影响CMP的结果。局部互连和双大马士革金属层要求有图形密度的变化，在一个芯片表面既有很密的金属互连线区域，也有几乎无图形的区域(或没有金属线）。 * 在一些情况下，当金属线紧密地挤在一起时，在CMP过程中对金属结构可能产生不必要的侵蚀。侵蚀是指在图形区域氧化物和金属被减簿，它被定义为抛光前后氧化层厚度的差。产生侵蚀的一个原因是当抛光一层覆盖的金属层时，对下面的SiO2产生轻微的过抛光。在高图形密度区域，对SiO2的侵蚀要大一些，为了最大限度地减小这种侵蚀，过抛光过程应被缩短(例如，理想地减小表面的起伏)。在另一种方式中，在抛光过程中加入缓冲氧化层的抛光，用来平坦化氧化层的凸出区域。在这步缓冲抛光中，牺牲氧化层被去掉大约300A。如果不进行修正，在表面的侵蚀可能变得非常严重，以致引起诸如由于氧化层厚度的变化带来的不完全通孔刻蚀等问题 * 另一个不希望的CMP效果是凹陷。凹陷是指图形中央位置材料厚度的减小。它被定义为金属线条中心(这是凹陷处的最低点)和SiO2层最高点的高度差。凹陷的多少与被抛光的线条宽度有关。线条越宽，凹陷就可能越多，抛光垫的硬度也对凹陷有影响，较软的抛光垫适合于软的金属线条，而施加压力引起凹陷。 * CMP设备是采用把一个抛光垫粘在转盘的表面来进行平坦化的。在抛光的时候，一个磨头装有一个硅片。大多数的生产性抛光机都有多个转盘和抛光垫，以适应抛光不同材料的需要。多个转