北京师范大学物理系学士学位论文答辩资料.ppt

半导体PN结特性的表征 及视频制作 答辩人：阳蒙强 学号：201011141921 指导老师：王引书 教授 2014年5月22日 目录页 contents 01 选题背景 02 实验原理 03 实验结果及分析 04 视频展示 1、选题 半导体 PN结 具有单向导电性的特点，可以用于整流、检波，是制造二极管、 三级管的物质基础。 半导体器件大量使用在电子产品中，是制造半导体二极管、 三极管、CCD、CPU的重要材料。 ---电子产业的粮食 ---一种重要的半导体器件 背景 1、选题 意义 中学生在日常生活中就已经接触了很多半导体器件，讲授一些半导体PN结的知识可以让他们更好地将物理学习与日常生活联系起来。 通过I-V测量，C-V测量以及深能级瞬态谱的测量，可以让学生更加全面地和较为深入地认识半导体PN结。 2、理论分析 P型半导体和N型半导体 在本征半导体，中掺入少量三价元素杂质 形成以空穴导电为主的半导体 空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子 P型半导体 本征半导体中掺入五价原子，如磷等 形成以电子导电为主的半导体 电子为多数载流子，空穴为少数载流子。 N型半导体 2、理论分析 PN结的形成 P型半导体+N型半导体 缓变结 扩散作用 外延法生长 突变结 2、理论分析 同质PN结能带结构及势垒的形成 2、理论分析 PN结I-V特性 正向电压 反向电压 2、理论分析 PN结I-V特性 2、设计理论 PN结C-V特性 在耗尽近似的情况下，突变结空间电荷区的电子电势变化可以由泊松方程描述： 积分可得： 势垒区单位面积的电荷：Q=eNd，则： 定义微分电容： 单位面积的微分电容为 2、设计理论 PN结的势垒电容 计入结面积后上式可以改写为： 在不同电压V下测量电容，做1/C2—V曲线可以得到一条直线，由其斜率可以求出杂质浓度N，从直线在V轴上的截距可以求出结的势垒高度VD。 2、设计理论 PN结的深能级瞬态电容 深能级是半导体禁带范围内，与靠近导带和价带的浅能级相比，处于较深能量状态的能级。 杂质缺陷产生的深能级分布在禁带中较宽的范围内，能起陷阱和复合中心以及发光中心的作用，对结电容和电导率有影响，但与浅能级相比这种影响随温度而改变。 浅能级决定着半导体的电导率和结电容，除在77K以下的极低温度范围内，其对电导率和结电容的影响基本不随温度变化。 可以通过电桥平衡掉浅能级结电容，通过放大增益和改变温度探测到深能级瞬态电容。 2、理论分析 PN结的势垒电容 图1 深能级充放电示意图、结电容的变化及反偏下pn结的能带结构图 2、理论分析 PN结的势垒电容 结电容： 对结施加零偏压脉冲(多子脉冲)，可使原耗尽区中的深能级充以电子。此时结电容为： VR脉冲过后pn结仍恢复反向偏置，结电容下降为： 电容的该变量： 2、理论分析 PN结的深能级瞬态电容 对于P+N结： 深能级放电过程中NT（ET）上电子（或空穴）浓度nT(t)(或pT(t))，随时间t指数减少： 在NDNT的条件下，深能级瞬态电容为： 2、理论分析 PN结的深能级瞬态谱 2、理论分析 PN结深能级瞬态谱 对于谱峰点： 可以得到： 实验中VD1信号： ，n=5,10,20,50 t2/t1=3 VD2信号： ，n=5,10,20,50 2、理论分析 PN结的势垒电容 从实验上得到?e作为温度的函数: 由曲线的斜率确定Ec-ET值，即深能级杂质的电离能 3、结果及视频 I-V特性 3、结果及视频 C-V特性 3、结果及视频 C-V特性 接触电势差VD=0.7846V 浅能级杂质浓度N=8.66?1018cm-3 3、结果及视频 深能级瞬态谱 3、结果及视频 多子峰1 3、结果及视频 多子峰2 3、结果及视频 多子峰3 3、结果及视频 可能掺杂的深能级杂质 峰1，峰2，峰3对应的斜率分别为：-3146，--4046，-5399玻尔兹曼常量kB=8.6173357*10-5eV/K，利用（EC-ET）= —kB*k。得到（EC-ET）分别为：0.271eV，0.349eV，0.465eV。 元素 S Ge K Ni Ag Mg Cd V （EC-ET）/eV 0.26 0.27 0.26 0.35 0.36 0.36 0.45 0.49 表 1 硅（Si）中部分深能级杂质电离能 4、视频展示