3太阳能电池原理与设计讲解.ppt

* UNSW新南威尔士大学 * 4.4.4顶端电极的设计发射区电阻 表层横向电流的大小决定于y和I（y），在两栅条之间的中间点的大小为零，并沿着中间点到栅条的线逐渐增加。计算电流的方程为： I（y）=Jby J为电流强度，b为栅条的长度，而y是两栅条的间隔距离。 终上所述，在1/2单元电池中，顶层阻抗引起的功率损耗为： 式中S同样为两栅间距。 在最大功率输出点，这个区域内的功率为VmpJmpbs/2，则相对功率损耗为： * UNSW新南威尔士大学 * 4.4.5顶端电极的设计接触电阻 接触电阻损耗发生在硅电池与金属电极的交界处。要降低接触电阻的损耗，就必须对n型层的顶层进行重掺杂。然而，重掺杂水平也会引起不良后果。即如果高浓度的磷被扩散到硅中，当温度下降时，多余的磷会被析出电池表层，形成一层“死层”，在这层中光生载流子的收集几率非常低。许多商用电池因为死层的出现而导致对蓝光的响应很差。因此，解决的办法是，对金属电极的下面部分进行重掺杂，而表层的其余部分则需控制在一个平衡值，也就是在获得低发射区饱和电流和高发射区扩散长度之间达到平衡。 顶端金属电极 金属与硅界面的高接 触电阻 对界面重掺杂以减小接触电阻。 N型发射区 * UNSW新南威尔士大学 * 4.4.6顶端电极的设计金属网格的设计 顶端电极的优化设计不只有子栅和母栅电阻的最小化，还包括与顶端电阻有关的总的损耗的最小化，即包括发射区的电阻损耗、金属电极的电阻损耗和阴影损耗。一些设计的因素决定了损耗规模的大小，它们包括子栅和母栅的间距、金属的宽高横纵比、金属栅条的最小宽度以及金属的电阻率。如下图所示。 横纵比=高/宽 小的高宽横纵比 栅条的间距 大的高宽横纵比 发射区 栅间距对发射区电阻的影响 正如我们在发射区电阻一节所讲的那样，来自发射区的能量损耗大小取决于金属网格的间距，因此，短的栅间距有利于降低发射区电阻。 * UNSW新南威尔士大学 * 5.3.6硅晶片和衬底多晶硅 为了避免晶界处的过度复合损失，晶界尺寸必须控制在几毫米以上。这也能让电池从前到后扩大单个晶界的规模，减少对载流子流动的阻碍，同时也减小了电池单位面积上的总晶界长度。这种多晶硅材料被广泛使用在商业太阳能电池制造中。 在两个晶粒之间的挂键是很不友善的，它们能降低电池的性能。 多晶硅片 * UNSW新南威尔士大学 * 5.3.7硅晶片和衬底非晶硅 非晶硅（α-si），是一种结构中有许多不受价键束缚的原子、缺少长程有序排列，但是制造成本却比多晶硅还低的硅材料。原子排列中缺少长程有序结构是由于“悬挂键”的存在。缺少长程有序结构将严重非晶硅的材料性能。在把非晶硅材料制成太阳能电池之前，需要对这些悬挂键进行钝化处理。即把氢原子与非晶硅材料结合，使氢原子的比例达到5-10%，让悬挂键处于饱和状态，因此提高了材料的质量。 尽管如此，非晶硅的材料性能与那些晶体硅还是有显著的不同。例如，禁带宽度从晶体硅的1.1eV上升到了非晶硅的1.7eV，且非晶硅的吸收系数要比晶体硅高的多。此外，大量悬挂键的存在导致了高缺陷密度和低扩散长度 额外的悬挂键 额外的悬挂键被氢原子终结 非晶硅结构的短程无序影响了它的半导体特性。氢原子终结了额外的悬挂键。平均原子间距的改变以及氢的存在导致了非晶硅的电特性与多晶硅的不同。 * UNSW新南威尔士大学 * 5.3.7硅晶片和衬底非晶硅 对于α-Si太阳能电池来说，非晶硅的不同材料性质需要不同的设计方法。特别是，硅-氢合金的少数载流子的扩散长度远远低于1μm。因此，要获得高的收集效率就必须在pn结耗尽区产生尽可能多的光生载流子。结果是，耗散区就成为了收集光生载流子最主要的区域。非晶硅的高吸收系数使得电池的材料只有几微米厚，也意味着，比起发射区和基区来，耗散区的厚度要大得多。 本征硅（无掺杂） 存在强电场的耗散区 a-Si：H太阳能电池示意图。 结构不相同，意味着α-Si和多晶硅太阳能电池的制造技术也不相同。在α-Si和其它薄膜电池的制造技术中，一层非常薄的半导体材料被沉积在玻璃表面或其他便宜的衬底上。薄膜太阳能电池被运用在许多小型消费产品中，比如计算机、手表以及不是很重要的户外产品。总的来说，薄膜为太阳能电池提供了一种成本非常低的制造途径。 然而，在户外或在含有紫外线的光源下使用的非晶硅电池会有降低效率的可能，因为紫外线会破坏Si-H的价键结构。对薄膜和其它潜在低成本太阳能电池的研究 * UNSW新南威尔士大学 * 5.3.7硅晶片和衬底非晶硅 为在使用非晶硅电池时所出现的问题提供了解决办法。结果是，这一研究为高效率、稳定和低成本太