硅太阳电池技术研究精要.pptVIP

主要过程 BBr3在高温分解后产生的硼原子即可以向硅片内扩散，但产生的Br蒸气对硅片表面有较强的腐蚀作用，其功能类似于TCE产生的氯气。因而要通入适量的氧气使变为后再与硅发生置换反应，还原出来的硼原子再进行进一步的扩散。 工艺流程 预淀积（800～980℃,30分钟）用HF去掉表面物并冲洗干净再分布（1000～1080℃，时间t） 重磷扩散 光刻重磷区 重磷扩散 去氧化层 2 3 4 氧化 1 扩散温度比浅磷扩散温度高50℃左右，因浅磷扩散一般为850℃左右，如果高出太多，则总扩散温度会超出900℃较多，这将会影响的背面的硼浓度，因硼在900℃以上则其扩散系数有比较大的增加。扩散时间要比浅磷扩散时间长，这样才能在浓磷接触区形成比PN结更深的结，使其能有更好的接触。 栅线区 重磷区 金字塔 钝化层 光刻胶 重磷区 剥离区 1 电池结构变化图 2 3 4 浅磷扩散 双面钝化 钝化层 扩散结束后的电池结构剖面 这道工艺与目前工艺不同之处在于：1）要开窗口，确定电池边缘钝化区域，减少边缘漏电；2）要选择比较大的方快值，以便能在后续的钝化工艺后能仍然保持方快在20～120的区域，即在钝化过程中实现再分布。3）浅磷扩散时可不考虑浓磷区域，因扩散温度低于浓磷扩散温度，而且扩散时间也小于浓磷扩散时间，因而它并不会大的改变浓磷区的浓度和结深。 开窗口→浓磷扩散（850～900℃，25分钟） 开窗口→浅磷扩散（780～850℃，15分钟） 氧化硅结构 SiO2基本结构单元 晶态SiO2-石英二维结构示意 非晶态-热生长SiO2二维结构 带杂质的无定形SiO2 氧化硅结构特性 由于热生长的SiO2以非结晶形态存在，不象晶态SiO2是由六个硅原子构成环状结构，具有周期性，可不断重复延伸。对于热生长的SiO2，其结构相当松散，只有43%的空间被SiO2分子所占据，因而密度也比较低，这使得各种杂质（如钠离子）进入和扩散比较容易，从而将影响到工艺。而带杂质的无定形SiO2，其结构更加松散。 无氧化前硅表面 硅表面能带结构 由于硅片是暴露在环境气氛中，因而不可避免地有一层很薄的天然氧化层以及吸附的杂质。一般，刚从HF酸中取出洗净的硅片表面的天然氧化层厚度为几?～几十?。这样，真实的硅表面包括：半导体与天然氧化层交界的内表面；氧化层同外界接触的外表面； 内表面同体内原子组成共价键，但也同天然氧化层中的氧原子或硅原子组成不确定的结合，称为快态能级。其表面大部分的未饱和键都被天然氧化层中的硅或氧原子所填补。 外表面则由于吸附杂质离子存在外表面能级，即慢态能级，密度约在1013/cm2以上，但很容易受环境气氛的影响。 内、外表面能级都可以同半导体体内交换电子，但交换的速率相差比较大。快态可以在毫秒或更短的时间内同体内交换电子，而慢态交换电子要通过一层薄氧化层，所需要的时间将很长，可以从毫秒到几个小时。慢态能级在制备时不容易控制，并对外界气氛极为敏感，因而硅表面性能极不稳定，这样对裸露的硅表面的硅片进行少子寿命测量就比较困难，不同时间的测量值将有很大的差异。 TCE氧化工艺 高效电池的工艺过程比较复杂，进热氧化的过程就有几次，这些高温的过程将严重影响到硅片的少子寿命。采用在氧化气氛中添加少量的氯化物（HCl、Cl2、C2HCl3）可以有效降低SiO2层中的可动电荷、固定电荷和“快态”，可以吸除硅中的Cu、Ni、Fe、Cr等金属杂质，提高硅中少子寿命，改善pn结的击穿特性，抑制热氧化层错。 反应式： C2HCl3+O2→Cl2+HCl+H2O+CO2 HCl+ O2 → Cl2 + H2O 实验表明，TCE浓度大于1.4%时出现氧化层漏电。随着TCE浓度的增加，快表面态密度下降，当氧化气氛中TCE的浓度在0.6%～0.8%之间时值最小。 电池反射率特性 811所电池 SHARP 倒金字塔电池 倒金字塔电池 SHARP电池效率为17%，但从图上可以看出，811所目前陷光电池发射率要远远低于SHARP电池，但效率却没有SHARP电池高，可见其电池收集效率比较低。 811常规电池的红外反射率要高于倒金字塔电池，因而其α吸收系数比较低，而倒金字塔电池只有配合于带通滤波才能有效降低α吸收系数到实用状态。 报 告 结 束，谢谢！ * 考虑到串、并联电阻时的I-V特性曲线： 串、并电阻对电池输出特性的影响 三、高效硅电池要求 电池结构变化 光路图 二氧化硅层 角度变化 电池的入射光不再与电池表面垂直，而是以一定的角度入射，根据全反射理论可以证明，只有入射光在16度角以内的光或者是几乎垂直的光入射才能透射，绒面不但增加了光在电池内部的光程，还使透射