碳碳复合材料精要.ppt

表1　合成的不同聚硅烷的固化比较 合成方法 PS的类型 质量保留率 PS PS+DVB（1/0.5） 电化学合成法 含双键的PS 97.1% 96.2% 由MTS合成的PS 66.1% 76.7% 含Si-H的PS 68.1% 72.2% Wurtz法 含Si-H的PS 40% 84.1% 注：固化条件200℃，3小时。 表2　合成的不同聚硅烷的陶瓷产率比较 合成方法 PS的类型 陶瓷产率 PS PS+DVB（1/0.5） 电化学合成法 含双键的PS 81.5% 48% 由MTS合成的PS 70% 40% 含Si-H的PS 69-73% 41-59% Wurtz法 含Si-H的PS 30~50% 47% 注：裂解条件1300℃，Ar气保护。 制备C/C-SiC工艺路线 C/C PS C/C＋PS C/C-SiC 真空浸渍 交联固化 预裂解体 高温裂解 多次浸渍裂解，材料致密化 O2 H2 H2-O2火焰烧蚀装置示意图 图2 C/C和C/C-SiC复合材料的线烧蚀率 （C/C经多次浸渍含双键聚硅烷） 图3 C/C和C/C-SiC复合材料的质量烧蚀率 (a) C/C-SiC specimen at density 1.46 (b) C/C-SiC specimen at density 1.70 (c) C/C specimen at density 1.29图1 C/C-SiC和C/C试样烧蚀后的宏观形貌 结论 在C/C基体材料中引入SiC能明显提高C/C复合材料的抗氧化烧蚀性能。 随着C/C-SiC复合材料密度的增加，材料中Si含量逐渐提高，材料线烧蚀率、质量烧蚀率随之下降。 ZrC 提高抗氧化性耐 烧蚀性能 提高先驱体陶瓷 产率，降低 C/C-SiC复合材料的生产成本 含不饱和基团、含金属Zr的聚硅烷 C/C-ZrC-SiC 浸渍-固化-裂解 最新研究成果 含锆聚硅烷合成原理 C/C-ZrC-SiC与C/C-SiC、C/C的比较 引入复合陶瓷ZrC-SiC更有利于C/C烧蚀性能的提高 展望 进一步提高Si含量对烧蚀和力学性能的影响。 C/C-SiC复合材料 用于制备刹车材料。 合成长链PS用于制造SiC纤维。 引入耐氧化烧蚀的金属元素Zr、Hf、Ta。 (2)树脂碳与沥青碳 糠酮树脂的制备思考题：还可以用什么高分子作为树脂炭的前驱体？ 现在的发展趋势是采用复合材料电缆芯 代替传统的钢芯作为导线的承重部分。 五、C/C复合材料的抗氧化研究 Fig. 9. SEM microphotograph for cross section of a CVD–SiC coated C/C composite after three cycles of oxidation at 15008C in air. C/C复合材料在火箭发动机上烧蚀15秒的扫描电镜图 C/C复合材料在1000℃氧化1.5h后的扫描电镜图 C/C复合材料的抗氧化技术 基体改性 Methods 涂层 C/C的防氧化涂层 高温下氧化物陶瓷材料的氧扩散速率 SiC和Si3N4理想的抗氧化候选材料 SiC和Si3N4与C/C复合材料的热膨胀系数最为接近，与C/C复合材料的机械相容性较好；SiC和Si3N4在高温下能形成能形成具有流动性的SiO2膜，能有效的封填由于热膨胀系数不匹配而形成的涂层的裂纹，阻止氧化气氛与碳基材的直接接触，而且最为关键的是，SiO2与其他氧化物相比具有很低的氧扩散速率，可以有效的阻止氧的渗入。 C/C防氧化涂层的制备方法 包埋法(pack cementation) 料浆法(slurry) 溶胶－凝胶法 化学气相沉积法(CVD) 化学气相沉积 C/C基体改性 抗氧化剂（如Si、Ti、B、SiC、TiB2、ZrB2、MoSi2）以固体颗粒的形式引入C/C基体。 先驱体浸渍裂解法。 六、先驱体转化法制备陶瓷基复合材料 Chantrell和Popper于1964年首次提出可使用金属有机化合物（Organo-metallic）作为先驱体制备陶瓷材料。 先驱体陶瓷的制备工艺流程 陶瓷先驱体的要求 a：工艺可行性，即在常温下为液态或可溶于有机溶剂，具有低的粘度，以利于浸渍。 b：室温下性能稳定，长期放置不发生交联变性。 c：高的陶瓷产率，以降低浸渍-热解次数，降低成本。 d：相对低的热解温度，以避免对纤维的破坏和节约能源。 e：可转化为难熔的陶瓷材料。 f：与基体材料有良好的浸润性。 此方法的优点是： 裂解温度低(850～1200℃),可无压烧成,纤维的机械和热损伤程度较小； 烧成时不引