单片机的结构和原理资料.ppt

一、 AT89S51单片机基本结构 二、AT89S51单片机存储器结构 物理上有4个存储器地址空间： 1、单片机程序存储空间——由片内程序存储器和扩展的片外程序存储器组成： /EA＝0时，CPU只访问外部程序存储器，内部程序存储器失效，程序存储器容量为64K； /EA 1时，CPU使用内部程序存储器，但当访问地址超过内部程序存储器容量时自动转向访问外部程序存储器。 AT89S51内部程序存储器中一些特殊地址地使用： 开机程序入口：0000H 外部中断INT0中断入口：0003H 定时器/计数器T0中断入口：000BH 外部中断INT1中断入口：0013H 定时器/计数器T1中断入口：001BH 串行中断的中断入口：0023H 片内RAM： （1）工作寄存器区：低128个字节中，地址从00H-1FH共32个字节组成4组工作寄存器，每组8个工作寄存器R0-R7。某时刻CPU只能用其中一组，用哪一组由特殊功能寄存器PSW（程序状态字寄存器）中的RS0（3）和RS1（4）的组合决定。没被使用的工作寄存器可以做通用数据存储器使用。 （2）位寻址区：片内RAM地址从20H-2FH的16个地址，既可以字节寻址，也可以位寻址（位地址00H-7FH）。 （3）数据存储区：片内RAM地址从30H-7FH部分为供用户使用的一般RAM，通常堆栈在此。 （4）特殊功能寄存器区（SFR）：片内RAM的高128个字节。普通51系列单片机共有21个特殊功能寄存器，离散的分布在80H-FFH地址范围内。 另外还有IP、IE、TMOD、TCON、SCON和PCON寄存器将在以后作介绍。 系统复位后，除SP为07H，P0～P3为FFH外，其余均为“0”。 习题 图2-1 MCS 51/52系列单片机内部结构框图 表2-1 单片机片内RAM功能表 图2-2 MCS-51/52系列单片机存储器空间结构 表2-2单片机特殊功能寄存器SFR P0口： P0口是一个双功能的端口；地址/数据分时复用口和通用I/O口；具有高电平、低电平和高阻抗3种状态的I/O端口称为双向I/O端口。P0口作地址/数据总线复用口时，相当于一个真正的双向I/O口，而用作通用I/O口时，由于引脚上需要外接上拉电阻，端口不存在高阻（悬空）状态，此时P0口只是一个准双向口；为保证引脚上的信号能正确读入，在读入操作前应首先向锁存器写1；单片机复位后，锁存器自动被置1； 一般情况下，如果P0口已作为地址/数据复用口时，就不能再用作通用I/O口使用；P0口能驱动8个TTL负载；可以被定义为数据/地址的低八位。 　　P1口： P1口由于有内部上拉电阻，没有高阻抗输入状态，所以称为准双向口。作为输出口时，不需要再在片外接上拉电阻；P1口读引脚输入时，必须先向锁存器写入1，其原理与P0口相同；P1口能驱动4个TTL负载；在FLASH编程和校验时，P1口作为低八位地址接收。 　　P2口： P2口用作高8位地址输出线应用时，与P0口输出的低8位地址一起构成16位的地址总线，可以寻址64KB地址空间；当P2口作高8位地址输出口时，其输出锁存器原锁存的内容保持不变；作为通用I/O口使用时，P2口为准双向口，功能与P1口一样；P2口能驱动4个TTL负载。 　　P3口： P3端口和P1端口的结构相似，能驱动4个TTL负载，P3口也可作为AT89C51的一些特殊功能口，如下所示： 　　P3.0 RXD　　（串行输入口） 　　P3.1 TXD　　（串行输出口） 　　P3.2 /INT0　　（外部中断0） 　　P3.3 /INT1　（外部中断1） 　　P3.4 T0　　（定时器0外部输入） 　　P3.5 T1　　（定时器1外部输入） 　　P3.6 /WR　（外部数据存储器写选通） 　　P3.7 /RD　（外部数据存储器读选通） 总结： 单片机的P0-P3口均是8位I/O口，其中P0为真正的双向口，P1、P2、P3为准双向口，P3口具有第二引脚功能。 P1口的结构最简单，用途也单一，仅作为数据输入/输出端口使用；P2端口在功能上兼有P0端口和P1端口的特点，P2口可以作为I/O口使用，也可以作为地址总线使用。　　P0端口能驱动8个TTL负载，如需增加负载能力，可在P0总线上增加总线驱动器。P1、P2、P3端口各能驱动4个TTL负载。 　　RST：复位输入。当振荡器复位器件时，要保持RST脚两个机器周期的高电平时间。 　　ALE/PROG：ALE是地址锁存允许信号端，这是一个低电平有效的信号端。 　　①当ALE/PROG接上低电平的时候，CPU对外部存储器进行存取时，用来锁住地址线的低位地址。 　　②当系统没有使用外部存储器（RAM/ROM）时，ALE可作为外部时钟，频率 晶振