第九章烧结精要.ppt

* * 热压烧结可制备高致密度材料 一些共价键材料，如碳化物、氮化物，在烧结温度下，分解压力高，原子迁移率低，无压烧结很难致密化 超高压烧结 但热压烧结却可显著提高材料致密度、降低 烧结温度 * * 一般无机材料： 烧结温度Ts＝0.7～0.8Tm（熔点） 热压烧结温度THP ＝0.5～0.6Tm 如：BN粉末 200 MPa等静压成型，2500 ℃烧结，制品相对密度仅为0.66 25 MPa，1700 ℃热压烧结，可得相对密度为0.97制品 * * 总之，烧结影响因素很多，相互间关系复杂，必须通过实验综合考虑各种因素，并恰当运用，以获得好得烧结材料 课后作业：7，10，11 * * * 5.二次再结晶的影响因素 1）.晶粒晶界数： 大晶粒长大速率开始取决与晶粒边缘数 基相细晶粒均匀生长，大晶粒晶界数（边缘数）多，如：当坯体中原始晶粒有晶界数大于10的大晶粒，晶粒长大到某一程度时，大晶粒尺寸远大于基质晶粒，晶界移动时快速扫过气孔，短时间内吞并周边第一代小晶粒，生成含有封闭气孔的大晶粒，导致不连续晶粒生长 * * 2）. 多晶陶瓷制备原始物料颗粒大小 细粉料：二次再结晶程度取决于起始物料颗粒大小 粗粉料：二次再结晶程度较小 Eg. BeO 的晶粒生长： 起始粒度2um，二次再结晶晶粒尺寸60um 起始粒度10um，二次再结晶晶粒尺寸30um * * 3).工艺因素 工艺原因：