薄膜物理蒸发源的蒸发特性及膜厚分布课件.ppt

2-2 蒸发源的蒸发特性及膜厚分布 环状平面蒸发源的膜厚分布如图2—11所示。选择适当的R与h比时，在蒸发平面上相当大范围内膜厚分布是均匀的。如在R／h＝0.7一0.8时，膜厚分布就比小平面蒸发源(曲线S)要均匀得多。对于一定的R，可由式(2—40)计算出源—基距为h平面上的膜厚分布。 五、球曲面基板上的膜厚分布 当蒸镀面积较大时，为获得镀层的膜厚有较好的均匀性，除了选择合适的蒸发源以及采用旋转基板架外，还可使基板处于球面分布状态。图2—1 2示出了这种情况下的发射特性。这是实际生产中的一种重要选择。因为不论采用静止的或旋转的球曲面，其上的膜厚分布都比面积相同的平板情况有较好的均匀性。由于计算过程相当繁杂，这里仅列出简化处理的结果。 根据图2—12所示几何尺寸，引入以下缩写 由此，可得出下列方程式。由于转动中心为膜厚t0的归一化点。故相应的距离和角均加注下标0。 (2-43) (2-44) (2-45) 将式(2—43)、(2—44)和(2—45)代入计算膜厚t的基本方程式 （2-46） 故在旋转中心处归一化，所得到静止球曲面的膜厚分布为 （2-47） 薄膜物理与技术 ： 石市委 ： swshi@ahu.edu.cn ： 物理与材料科学学院 安徽大学 教师 邮箱 院系 真空蒸发镀膜 第二章 在真空蒸发镀膜过程中，能否在基板上获得均匀膜厚，是制膜的关键问题。基板上不同蒸发位置的膜厚，取决于蒸发源的蒸发(或发射)特性、基板与蒸发源的几何形状、相对位置以及蒸发物质的蒸发量。镀膜过程中对于膜厚的分布如何，也是人们十分关心的问题。 为了对膜厚进行理论计算，找出其分布规律，首先对蒸发过程作如下几点假设； (1)蒸发原子或分子与残余气体分子间不发生碰撞； (2)在蒸发源附近的蒸发原子或分子之间也不发生碰撞； (3)蒸发淀积到基板上的原子不发生再蒸发现象，即第一次碰撞就凝结于基板表面上。 上述假设的实质就是设每一个蒸发原子或分子，在入射到基板表面上的过程中均不发生任何碰撞，而且到达基板后又全部凝结。显然，这必然与实际的蒸发过程有所出入。但是，这些假设对于在10-3Pa或更低的压强下所进行的蒸发过程来说，它与实际情形是非常接近的。因此，可以说目前通常的蒸发装置一般都能满足上述条件。 蒸发源的种类繁多，下面分别介绍几种最常用的蒸发源。 一、点蒸发源 通常将能够从各个方向蒸发等量材料的微小球状蒸发源称为点蒸发源(简称点源)。一个很小的球dS，以每秒m克的相同蒸发速率向各个方向蒸发，则在单位时间内，在任何方向上．通过如图2-4所示立体角dω的蒸发材料总量为dm，则有: (2-21) 因此，在蒸发材料到达与蒸发方向成θ角的小面积dS2的几何尺寸已知时，则淀积在此面积上的膜材厚度与数量即可求得。由图可知 则有 （2-22） 式中，r是点源与基板上被观测点的距离。 所以，蒸发材料到达dS2上的蒸发速率dm可写成 （2-23） 假设蒸发膜的密度为ρ；单位时间内淀积在dS2上的膜厚为t，则淀积到dS2上的薄膜体积为td