计算机组成原理 ()课件.ppt

* * * * * * * 采取多体交叉存取方式，需要一套存储器控制逻辑，简称为存控部件。它由操作系统设置或控制台开关设置，确定主存的模式组合，如所取的模是多大；接收系统中各部件或设备的访存请求，按预定的优先顺序进行排队，响应其访存请求；分时接收各请求源发来的访存地址，转送至相应的存储体；分时收发读写数据；产生各存储体所需的读／写时序；进行校验处理等。显然，多体交叉存取方式的存控逻辑比较复杂。 当CPU或其他设备发出访存请求时，存控部件按优先排队决定是否响应请求。响应后按交叉编址关系决定该地址是访问哪个存储体，然后查询该存储体的¨畦，，触发器是 否为1。若为1，表示该存储体正在进行读／写操作，需等待；若该存储体已完成一次 读／写，则将“忙”触发器置0，然后可响应新的访存请求。当存储体完成读／写操作时，将 发出一个回答信号。 这种多体交叉存取方式很适合于支持流水线的处理方式，而流水线处理方式已是 CPU中一种典型技术。因此，多体交叉存储结构是高速大型计算机的典型主存结构。 * V?M不仅是解决存储容量和存取速度的一种有效措施，而且是管理存储设备的有效方法。采用V?M用户编程时无需过多考虑所编程序在M?M中能否放得下以及放在M?M什么位置的问题。因此， V?M给软件编程提供了极大方便。V?M使计算机具有V?M容量、成本，存取速度接近M?M的速度。 M?M —V?M 和Cache—M?M两个层次有很多相似之处，它们所采用的地址变换、映象方法和替换策略从原理上看是类似的。 * 虚地址变换到实地址是由放在M?M中的页表来实现的。 在页表中，对应每个虚页号有一个页表项，表项内容包含该虚页所在的M?M页面地址(物理页号)、装入位、替换控制位及其他保护位等。用M?M页面地址作为实(主)地址的高字段与虚页的页内地址字段相拼接，就构成了完整的实存地址。 假若页表已保存或已调入M?M，在访问M?M时，首先要查页表，即使页面已命中，也得先访问一次M?M去查页表，再访问M?M才能获取数据，这就相当于M?M速度降低了一倍。 如果页面失效，要进行页面替换、页面修改，这时访问M?M次数就更多，因此，将页表中最活跃部分放在Cache中组成快表，是减少时间开销的方法。 在一些影响工作速度的关键部分引入硬件支持。例如用相联存储器来进行查找，也是常用的方法。 * 例：虚地址为32位，按字节寻址。设页面大小为1KB，那么V?M共有22位虚页号，即有222个页。如果一页为一个页表项，则需有222个页表项。如果每个页表项占4B，则每个页面只能放下210/22=28=256个页表项。为此则需要222/28=214个页存放222个面表项。对于每个页需要一个页表基地址寄存器来指明每页的基址，则需要214个基址寄存器。若用M?M来实现214个基址寄存器且每个基址寄存器也是4B，则需要214/28(每页页表项数)=26个页作为基址寄存器，又需一个页存放这26个页表项，以指出各基址寄存器表的页的基址。因此可知需要： 222=(28)i，i=?log222/ log28?=3。即需要3级页表。 第一级为1个页面，存放作为基址寄存器的页面基址。 第二级为26个页面，存放214页表的页面基址。 第三级为214个页面，存放222虚页的页表项。 * 盘片由铝合金圆盘载体两面涂敷磁胶制成，厚度为1～2mm，片间距为10～20mm，由同心轴带动旋转。通常，盘片组的最上面和最下面不作记录用，作为保护面。每个记录盘面装有一个读写头，读写头可在步进电机或音圈电机驱动下沿磁盘径向移动。磁头和盘面不直接接触，保持一定的距离。当盘片高速旋转时，磁头保持悬浮状态。 寻找扇区操作是当盘转动时，牵引标志产生的脉冲将计数器清“0”，以后每来一个扇区标志，扇区计数加1，把计数内容与盘地址寄存器中的内容进行比较，若一致，则输出扇区符合信号。扇区符合信号送控制器后，控制器的读写电路控制电路动作。 * 上述格式表示，磁盘信息的地址可由三个具有一定意义的二进制数字段拼接而成。当盘片为单片单面结构时，圆柱面号一栏应改为磁道号。 圆柱面和盘面的定位都是容易实现的，主要困难在于扇段的定位。确定磁盘的扇段地址有许多方法。一般地，可使 用设置盘片缺口或孔，通过光源和光敏元件，使盘片每转一圈产生一个索引脉冲和若干个 扇标脉冲(硬分段)，索引脉冲用来标志磁道信息的起点，此后第一个扇区为0扇区，第二 个为1扇区(连续编址)等。再利用扇标脉冲作为定时时钟驱动一个计数器，根据计数器 的内容，即可确定磁道上的扇段编号。磁道上每一个数据位的同步脉冲可以直接从存储 的磁盘信息中分离出来，但对于不包含同步信息的记录方式，则必须由专用