第五章效率的极限损失和测量讲解.pptVIP

分流电阻（Shunt Resistance ） * 分流（并联）电阻Rsh减小了流经pn结的电流。 Rsh值较高时， Voc降低。 在分流电阻作用下，最大功率近似为： 提高输出功率需要增加Rsh。 式中： 填充因子FF为： * 随着分流电阻Rsh的减小，FF减小。 串联电阻和分流电阻共同作用 * 当串联电阻和分流电阻都很重要时，填充因子为： 式中FF0’为： FF0为无寄生电阻时的理想填充因子。 5.4 效率测量 * 方法一：利用功率计测量入射光的功率Pin，电池最大输出功率Pm。 问题：1. 电池性能与阳光光谱有关； 2. 功率计存在误差。 方法二：以标定过的参考电池为基准，测量待测电池的性能。 条件：1. 两块电池的光谱响应一致； 2. 测试光源的光谱成分与标准光源光谱成分接近。 同种半导体材料，相似生产工艺； 光源 四点接触法，消除测试线中的串联电阻，和探头-电池之间的接触电阻 温度 电流与电压的测量： AM1.5，自然阳光（模拟） 25℃或 28℃ 也可用于光谱响应测量。 * * * 第五章效率的极限、损失和测量 南京理工大学 材料科学与工程学院 * 内容 5.2 温度的影响 5.4 效率测量 5.3 效率损失 5.1 效率的极限 * 5.1 效率η的极限 * 能量转换效率η: 为获得较高的转换效率，需要增加Voc、Isc和FF。 令 当voc10时有 Voc的函数 为获得理想转换效率η的极限，讨论Voc、Isc的理想极限。 5.1.1 短路电流Isc 式中，N0表示表面光通量，表示单位面积单位时间通过的光子数，单位为m-2s-1。 理想情况下: 求Isc的极限，就是求IL的极限 G为产生率。 假设到达电池表面的每一个能量大于材料禁带宽度的光子， 会产生一个电子-空穴对，那么G为： 光子的通量 将光通量对波长进行积分，可以得到G。 积分范围：短波长～长波长（硅的Eg=1.1eV，λ=1.13μm） G是在理想情况下得到的，因此得到的结果为理想极限。 禁带宽度与电流密度的关系 禁带宽度Eg减小 ，具有产生电子空穴对能量的光子增加，电流密度增加，短路电流Isc增加。 * 5.1.2 开路电压和效率 开路电压： 为提高Voc，需降低I0: 目前还没有明确得到限制Voc的基本因素。 获得Voc上限的方法 可将上式中的每个参数赋予合适的值。 对于硅， Voc最大值约为700mV，相应的FF为0.84。 饱和电流密度I0最小值与禁带宽度Eg的关系为： 禁带宽度Eg减小 ， I0增加， Voc减小。 禁带宽度Eg减小 Voc减小 获得Voc上限的方法 * 必然存在一个最佳的Eg， 可令η达到最大。 禁带宽度Eg减小 Isc增加 Voc减小 35%以下 最高效率在数值上较低的原因： 1. 光子能量Eph大于Eg时，多余的能量以热能形式释放，使得最高效率限制在44%。 2. 载流子被相当于禁带宽度的电势差所分离，pn结电池得到的输出电压也仅是这个电势差的一部分。 5.4 黑体电池的效率极限 黑体太阳能电池吸收所有入射的阳光。 同时以辐射复合的形式释放能量大于禁带宽度的光子。 I0与复合率有关。 从而得到I0的最小值。 此时， Voc为850mV，效率极限超过了30%。 5.2 温度的影响 太阳能电池对温度非常敏感。温度T的升高使得半导体的禁带宽度Eg降低，相当于材料中的电子能量提高，这影响了大多数的半导体材料参数。 温度 Isc Voc 光吸收增加 FF 温度对开路电压的影响 短路电流Isc和开路电压Voc的关系： pn结两边的I0的方程为 式中A与温度无关，γ包含了其余与温度有关的参数，它的数值一般在1~4之间，Eg0为半导体材料在绝对零度时的禁带宽度。 假设dVoc/dT不受dIsc/dT的影响，则 式中 随着温度T的增加，Voc减小。 温度对开路电压的影响 * 太阳能电池的温度敏感性取决于开路电压的大小，即电池的开路电压越大，受温度的影响就越小。 对于硅Si，当Vg0=1.2V，γ=3，Voc=0.6V时， 温度对短路电流的影响 * 当温度升高时，禁带宽度Eg减小，将有更多的光子有能力激发电子-空穴对，短路电流Isc会轻微上升。硅太阳能电池中短路电流受温度影响程度： 同时填充因子FF受温度的影响为 温度对最大输出功率Pm的影响为 太阳能电池在较低温度下工作时，效率较高 5.3 效率损失 * 由于各种损失机制的存在，实际太阳能电池的转换效率达不到理想极限。 5.3.1 短路电流损失 短路电流Isc的损失： 1.“光学”性质的损失 a.裸露硅表面的反射较大，可通过镀膜来