第四章 半导体的导电性要点.docVIP

第四章 半导体的导电性 引言 前几章介绍了半导体的一些基本概念和载流子的统计分布，还没有涉及到载流子的运动规律。本章主要讨论载流子在外加电场作用下的漂移运动，讨论半导体的迁移率、电导率、电阻率随温度和杂质浓度的变化规律，以及弱电场情况下电导率的统计理论和强电场情况下的效应，并介绍热载流子的概念。 §4.1载流子的漂移运动和迁移率 一、欧姆定律 1.金属：（4.1-1） （4.1-2） 单位：和 （4.1-3） 单位：和 2.半导体： 电流密度：通过垂直于电流方向的单位面积的电流，（4.1-4） 单位：和 电场强度：（4.1-5）单位：和 均匀导体：（4.1-6） 所以，（4.1-7） 上式表示半导体的欧姆定律，把通过导体某一点的电流密度和改点的电导率及电场强度直接联系起来，称为欧姆定律的微分形式。 二、漂移速度和迁移率 有外加电压时，导体内部的自由电子受到电场力的作用，沿电场反方向作定向运动构成电流。电子在电场力作用下的这种运动称为漂移运动，定向运动的速度称为漂移速度。 电子的平均漂移速度为，则其大小与电场强度成正比： （4.1-8）其中，μ称为电子的迁移率，表示单位场强下电子的平均漂移速度，单位是m2/V·s 或cm2/V·s。由于电子带负电，其与E反向，但μ习惯上只取正值， 即（4.1-9） 半导体的电导率和迁移率 1.n型半导体：，（4.1-12） 2.p型半导体：