刘诺-半导体物理学-第二章.pptVIP

UESTC Nuo Liu 半导体物理 SEMICONDUCTOR PHISICS 教案：刘诺 副教授 独立制作: 刘 诺 副教授 电子科技大学 微电子与固体电子学院 微电子科学与工程系  KEY：1、施主 施主能级 施主电离能  2、受主 受主能级 受主电离能 1、杂质与杂质能级 杂质：半导体中存在的与本体元素不同的其它元素。 杂质来源: （1）有意掺入 （2）无意掺入 杂质在半导体中的分布状况 （1）替位式杂质 （2）间隙式杂质 杂质出现在半导体中时，产生的附加势场使严格的周期性势场遭到破坏： 杂质能级位于禁带之中 Ec 杂质能级 Ev 2、施主能级：举例：Si中掺磷P（Si：P）  在Si单晶中，V族施主替位杂质两种荷电状态的价键图（a）电离态（b）中性施主态 含有电离和中性施主能级的Si的E-x和E-k图 3、受主能级：举例：Si中掺硼B（Si：B） 在Si单晶中，Ⅲ族受主替位杂质两种荷电状态的价键图（a）电离态（b）中性受主态 受 主 电 离 能：△EA=EA-EV 含有电离和中性受主能级的Si的E-x和E-k图 杂 质 半 导 体 1、n 型半导体： 特征：a、施主杂质电离， 导带中出现施主 提供的电子； b、电子浓度n空穴浓度p 2、p 型半导体： 特征：a、受主杂质电离， 价带中出现受主 提供的空穴； b、空穴浓度p电子浓度n 上述杂质的特点： 施主电离能△ED《 Eg 受主电离能 △EA《 Eg 4、浅能级杂质电离能的简单计算 （1） 氢原子基态电子的电离能 （2）用类氢原子模型估算 浅能级杂质的电离能 正、负电荷所处介质： 估算结果与实际测 量值有相同数量级 Ge： △ED ～ 0.0064 eV Si: △ED ～ 0.025 eV 5、杂 质 的 补 偿 作 用 1、本征激发与本征半导体 （1）本征激发：在纯净半导体中，载流子的产生必须依靠价带中的电子激发到导带，它的特点是每产生一个导带电子就相应在价带中产生一个空穴，即电子和空穴是成对产生的。这种激发称为本征激发。 即：n0=p0=ni（ ni为本征载流子浓度） （2）本征半导体：不含杂质的半导体就是 本征半导体。 ni= ni（T） 在室温（RT=300K）下： ni （Ge）≌2.4×1013cm-3 ni （Si） ≌1.5×1010cm-3 ni （GaAs） ≌1.6×106cm-3 （3）n型半导体与p型半导体 (A)如施主浓度NDni n型半导体 (4)杂质的补偿,既掺有施主又掺有受主 补偿半导体 （A）NDNA时 n型半导体 （B）NAND时 p型半导体 因 EA 在 ED 之下 ， ED上的束缚电子首 先填充EA上的空位， 即施主与受主先相互