第2章电力电子器件祥解.ppt

2.7.1 过电压的产生及过电压保护 外因过电压抑制措施中，RC过电压抑制电路最为常见，典型联结方式见图1-35 RC过电压抑制电路可接于供电变压器的两侧（供电网一侧称网侧，电力电子电路一侧称阀侧），或电力电子电路的直流侧 图2-35　RC过电压抑制电路联结方式 a)　单相　b)　三相 ?????? ■ 2.7.1 过电压的产生及过电压保护 大容量电力电子装置可采用图1-36所示的反向阻断式RC电路 图1-36　反向阻断式过电压抑制用RC电路 保护电路参数计算可参考相关工程手册 其他措施：用雪崩二极管、金属氧化物压敏电阻、硒堆和转折二极管（BOD）等非线性元器件限制或吸收过电压 ■ 2.7.2 过电流保护 ?过电流——过载和短路两种情况 常用措施（图1-37） 快速熔断器、直流快速断路器和过电流继电器 同时采用几种过电流保护措施，提高可靠性和合理性 电子电路作为第一保护措施，快熔仅作为短路时的部分区段的保护，直流快速断路器整定在电子电路动作之后实现保护，过电流继电器整定在过载时动作 图1-37　过电流保护措施及配置位置 ■ 2.7.2 过电流保护 快速熔断器 电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施 选择快熔时应考虑： (1)电压等级根据熔断后快熔实际承受的电压确定 (2)电流容量按其在主电路中的接入方式和主电路联结形式确定 (3)快熔的I 2t值应小于被保护器件的允许I 2t值 ■ 2.7.2 过电流保护 (4)为保证熔体在正常过载情况下不熔化，应考虑其时间?电流特性 快熔对器件的保护方式：全保护和短路保护两种 全保护：过载、短路均由快熔进行保护，适用于小功率装置或器件裕度较大的场合 短路保护方式：快熔只在短路电流较大的区域起保护作用 对重要的且易发生短路的晶闸管设备，或全控型器件（很难用快熔保护），需采用电子电路进行过电流保护 常在全控型器件的驱动电路中设置过电流保护环节，响应最快 ■ 2.7.3 缓冲电路（Snubber Circuit） ? 缓冲电路（吸收电路）：抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，减小器件的开关损耗 关断缓冲电路（du/dt抑制电路）——吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小关断损耗 开通缓冲电路（di/dt抑制电路）——抑制器件开通时的电流过冲和di/dt，减小器件的开通损耗 将关断缓冲电路和开通缓冲电路结合在一起——复合缓冲电路 其他分类法：耗能式缓冲电路和馈能式缓冲电路（无损吸收电路） 通常将缓冲电路专指关断缓冲电路，将开通缓冲电路叫做di/dt抑制电路 ■ 2.7.3 缓冲电路（Snubber Circuit） 缓冲电路作用分析 无缓冲电路： V开通时电流迅速上升，di/dt很大 关断时du/dt很大，并出现很高的过电压 有缓冲电路 V开通时：Cs通过Rs向V放电，使iC先上一个台阶，以后因有Li，iC上升速度减慢 V关断时：负载电流通过VDs向Cs分流，减轻了V的负担，抑制了du/dt和过电压 图1-38　di/dt抑制电路和充放电型RCD缓冲电路及波形 a) 电路 b) 波形 ■ 2.7.3 缓冲电路（Snubber Circuit） 关断时的负载曲线 无缓冲电路时：uCE迅速升，L感应电压使VD通，负载线从A移到B，之后iC才下降到漏电流的大小，负载线随之移到C 有缓冲电路时：Cs分流使iC在uCE开始上升时就下降，负载线经过D到达C 负载线ADC安全，且经过的都是小电流或小电压区域，关断损耗大大降低 图1-39　关断时的负载线 ■ 2.7.3 缓冲电路（Snubber Circuit） 充放电型RCD缓冲电路（图1-38），适用于中等容量的场合 图1-40示出另两种，其中RC缓冲电路主要用于小容量器件，而放电阻止型RCD缓冲电路用于中或大容量器件 图1-40　另外两种常用的缓冲电路 a)　RC吸收电路　b)　放电阻止型RCD吸收电路 ■ 2.7.3 缓冲电路（Snubber Circuit） ? 缓冲电路中的元件选取及其他注意事项 Cs和Rs的取值可实验确定或参考工程手册 VDs必须选用快恢复二极管，额定电流不小于主电路器件的1/10 尽量减小线路电感，且选用内部电感小的吸收电容 中小容量场合，若线路电感较小，可只在直流侧设一个du/dt抑制电路 ?对IGBT甚至可以仅并联一个吸收电容 晶闸管在实用中一般只承受换相