高温高压下氮化镓陶瓷体的制备.pdfVIP

「 第 16卷 第 4期 高 压 物 理 学 报 Vo1.16, No,4 zO02年12月 CH1NEsE JOURNALoF HIGH PREssURE PHYsICs Dec, , 2002 文 号 : 1000-5773(2002)04-0259-06 =编 高温高压下氮化镓 陶瓷体 的制备 洪瑞金,马 贤锋,阎 学伟,赵 伟,汤 华国 (中 国 学 长 应用 学研 所材 器 研 室,吉 长 科 院 春 化 究 料与 件 究 林 春 130022) 摘要 :在 高温高压 条件 下 ,实 验成功实现 了氮化镓 的烧结 。首次将氨压 应用到 陶瓷体 的 ,解 了GaN的 、 化 题 ,提 了 。 烧结 中 决 分解 原料 中残余 的氧 物等 问 高 烧结体 的结 晶度 研 究 了在 氨压条件 下温度对烧结致 密度 的影响。 关键词 :氮化镓 ;高 温高压 ;烧 结体 中囡分类号 :o649.4;0643。4 文献标识码 :A 1引 言 -Ⅴ 少 。 氮化镓是 Ⅲ 族半导体化合物 中 有 的宽禁带光 电子材料 它具有优异 的光 电特性及稳定 的物 ,各 工 不 巨 ,争 GaN基 El~叼 理 。近 国 研 者 相研 蓝 光和 段 。 性质 年来 科 作 惜 资 制 紫 紫外波 的光 电器件 当 ,纳 GaN材 GaN基 E4~田 。 ,在 GaN薄 和 的 膜材料 的 是这 领 的研究热 前 米 料 薄 制各 一 域 点 但是 膜材料 ′ 【彐 GaN中 的生长研究 中 在几个难 以克服的问题 ,一是在生长的 存在很大浓度 的背景 电子 ;二是没 存 有 和 匹配 ,难 以 GaN材 。 工 合适的与氮化镓在热性能 晶格常数相 的衬底材料 得到高质量的 料 一些科研 作 压法 了GaN晶 E:~lO彐。 ,大 尺 GaN单 至 还 。 者通过助熔剂法或高温高 制得 体 但是 寸的 晶 今 没得到 由于 GaN的 ,常压 GaN的 不 了。 Ga