电针促进局灶性缺血大鼠脑内血管新生并减轻神经元损伤的研究.pdf

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电针促进局灶性缺血大鼠脑内血管新生并减轻神经元损伤的研究

摘要 目的:脑卒中(Stroke)是一种突然起病的脑血液循环障碍性疾病,又叫 脑血管意外,可分为缺血性和出血性。脑卒中患者中约85%为缺血性脑卒 中,其发病率高,预后较差,已成为中老年人第一致残和前三位致死原因 之一,严重危及人类的健康。中医学认为,缺血性脑卒中的病机概括为虚、 火、风、痰、气、血六端,此六端在一定条件下,相互作用而致突然发病。 而针刺作为中医有代表性的非药物治疗方法,具有操作简便、安全的特点, 符合现代社会对健康的追求,且针刺在治疗缺血性脑血管疾病中的确切作 用已为众多的临床实践所证实。根据临床实践及血管新生在脑缺血恢复中 的重要作用,我们拟研究血管新生是否参与了电针改善脑缺血后神经功能 缺损的治疗作用以及电针促进血管新生的可能机制。这将为研究电针促血 管新生,发挥脑保护作用提供一定的实验依据。 方法:清洁级雄性sD大鼠随机分为电针组、模型组、假手术组,电针组 与模型组大鼠采用线栓法栓塞大脑中动脉60min后恢复血流,电针组在 再灌注2h后开始电针刺激(百会、水沟、足三里,疏密波,频率2Hz/15Hz, 强度约lmA)30 min,每隔12h重复刺激1次。再灌注24h后,采用实 时荧光定量PCR法观察电针对缺血再灌注大鼠脑组织VEGFmRNA的影响; 再灌注48h后,采用免疫印迹法分析电针对缺血区VEGF蛋白的影响,免 疫组织化学法观察电针对缺血区促血管新生相关因子的影响;再灌注72h 后,观察电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠行为学障碍的影响,电针对缺血 区微血管密度的影响,并用TTC法测量脑梗死体积,原位末端标记法观察 缺血区细胞凋亡情况,并采用免疫印迹法观察电针对凋亡相关蛋白表达的 影响。 h、48h、72 结果:(1)脑缺血再灌注24 h后,随再灌注时间的延长, 模型组和电针组大鼠神经体征损伤评分逐渐降低;且各时间点电针组较模 型组大鼠神经体征损伤评分明显降低,统计学处理有显著性差异(F0.05, 尸0.01);病理形态学观察,可见假手术组大鼠细胞排列整齐,无水肿, 未见炎性细胞浸润;模型组可见缺血坏死区结构疏松,间质水肿,大量细 胞坏死,核仁消失,排列紊乱;电针治疗组缺血坏死区结构较假手术组疏 松,但间质水肿不明显,坏死细胞数量较模型组明显减少,排列较模型组 规则。 (2)脑梗死体积测定,假手术组大鼠脑组织染色呈鲜红色,未见白色缺 血梗死区;模型组大鼠可见缺血侧大脑中动脉供血区脑组织大部分区域呈 白色梗死区;电针治疗组大鼠缺血侧大脑中动脉供血区脑组织仅有较少区 域呈白色,脑缺血梗死范围较模型组明显减少(尸o.01);假手术组未见 或少见CD34阳性表达;模型组大鼠可见脑缺血区CD34阳性表达,而电针 组较模型组大鼠缺血区微血管密度显著增加,统计学处理有显著性差异(P 0.05). (3)数据分析表明假手术组大鼠几乎未见VEGFmRNA的表达,模型组可 见一定量VEGFmRNA表达,而电针组VEGFmRNA的表达与模型组比较明显 增强(尸0.01);为进一步观察电针对缺血再灌注大鼠脑组织血管新生的 影响,我们采用免疫印法检测了各组大鼠脑组织中VEGF蛋白的水平,结 果显示,与模型组相比,脑缺血再灌注大鼠经电针治疗后,脑组织中VEGF 蛋白水平明显增高(尸O.05)。 表达,而电针组较模型组大鼠缺血区G-CSF表达显著增加,统计学处理有 加,统计学处理有显著性差异(尸0.05)。 (5)假手术组未见或少见凋亡细胞,模型组缺血区可见较多凋亡细胞, 主要见于梗死灶周围;电针组凋亡细胞数目明显减少,与模型组比较差异 显著(尸o.01);为进一步分析电针减轻缺血再灌注脑组织中神经元凋亡 的机制,我们采用免疫印法检测了各组大鼠脑组织中抗凋亡蛋白Bcl-2 的水平,结果显示,与模型组相比,脑缺血再灌注大鼠经电针治疗后,脑 n 鼠脑组织中促凋亡蛋白Bax的水平,如所示,电针治疗组大鼠脑组织中 Bax水平较模型组明显降低(尸0.05)。 结论:电针可能通过促进缺血区VEGFmRNA的表达,促使VEGF蛋白表达 增加,并通过G-CSF、Ang-1等促血管新生因子的协同作用,增加缺血区 微血管密度,发挥促血管新生效应;此外,电针可能通过调节Bax/Bcl-2 等凋亡相关蛋白来减少缺血区细胞凋亡数,从而减轻缺血区病理形态学损 伤,缩

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