自旋电子学第二讲＂.pptVIP

第二讲 自旋电子材料性能及制备 文岐业 微固学院（215）室 qywen@163.com 自然界的物质分为 顺磁性物质 抗磁性物质 铁磁性物质 磁学现象与磁性 第一节 磁电阻现象和自旋电子材料 自旋电子的输运受到不同的散射，因此出现不同的电阻机制，磁电阻现象是自旋输运最直接的宏观体现 磁阻效应 在铁磁体中，由于外磁场的作用而导致的电阻机制有很多种，其中包括： ? Ordinary magnetoresistance (OMR)－普通磁电阻 ? Anisotropic magnetoresistance (AMR)－各项异性 ? Giant magnetoresistance (GMR)－巨磁电阻（巨磁阻） ? Tunneling magnetoresistance (TMR)－隧道磁电阻 ? Ballistic magnetoresistance (BMR)－弹道磁电阻 ? Colossal magnetoresistance (CMR)－庞磁电阻 We’ll look briefly at the physics taking place in some of these. 早期人们为了理解超导体的零电阻现象，1934年戈特（C.J.corter）和卡西米尔（H.B.G.Casimir）提出一个二流体模型。即, 金属处于超导态时, 共有化的自由电子分为两部分: 一部分叫正常电子nn, 占总数的nn/ｎ; 另一部分叫超流电子ns，占总数的ns／n，这里ｎ＝nn＋ns.两部分电子占据同一体积，在空间上相互渗透，彼此独立地运动，两种电子相对的数目是温度的函数。 1936年, Mott将二流体模型扩展到铁磁性金属。认为TTc时,两种电子之间的“自旋翻转”可以忽略。 近似地，总电阻是独立的两种自旋电子流的电阻值。ρ＝（ρ↑× ρ↓）/（ρ↑＋ ρ↓）。铁磁金属的Fermi面附近，s-与d-电子共存。散射几率 “自旋极化”。 巨磁阻效应的重要特性 典型效应大小: 10-50%. 界面效应是影响GMR效应的关键因素. 典型的工作磁场范围：由改变相邻铁磁层的相对取向所需的磁场决定。通常设置在一个较低的磁场以便于实际操作. 相邻铁磁层之间的耦合随着隔离层的厚度变化。而震荡变化。铁磁性耦合和反铁磁性耦合交替出现。 薄膜层厚和粗糙度必须要考虑. 在低温下具有更大的巨磁阻效应。因为这时候其他散射（自旋无关的散射）对电阻的贡献小了。所以自旋相关散射效应增强。 典型器件结构 多层膜巨磁阻系统如何应用？实际上应用的都是自旋阀结构（Spin valve） Why Spin Valve？ 工作磁场小(Typical less than 100 Oe) 相对较大的磁电阻效应(5-20%) 制备工艺简单，操作稳定 磁场灵敏度高（可作为传感器） 抑制巴克豪森噪声，信噪比高 巨磁电阻效应 电子的自旋输运特性 是磁性纳米结构中存在的现象 是一种典型的量子效应 Definition of GMR GMR(%) = (RAP-RP)/RP RAP: 反平行磁结构时的电阻 RP : 平行磁结构时的电阻 Origin of GMR 第二节. 隧道巨磁电阻效应 超导隧道结的发现在理论和实验上均有重要的价值。受此启发1975年Julliere对Fe/Ge/Co磁性隧道结输运性质的研究作了开拓性的研究，发现隧道阻抗随铁磁层的磁化状态而变化，低温下电导的相对变化可达14%。 AMR/GMR/TMR TMR Structure Magnetic Tunnel Junction (MTJ) Early Studies Jullière, Phys. Rev. Lett., 54A, 225 (1975) Miyazaki et.al: J. MMM, 139, L231, 1995. Moodera, et. alPhys. Rev. Lett. 74, 3273, (1995) 隧道巨磁电阻效应产生机理 在铁磁层/绝缘层/铁磁层构成的“隧道结”中，如果两铁磁层的磁化方向平行，一个铁磁层中多数自旋子带的电子将进入另一个电极中的多数自旋子带的空态，同时少数自旋子带的电子也从一电极进入另一电极的少数自旋子带的空态； 如果两电极的磁化方向反平行，则一个电极中的多数子带的自旋与另一个电极的少数自旋子带电子的自旋平行，这样，隧道电导过程中一个电极中多数自旋子带的电子必须在另一个电极中寻找少数自旋子带的空态，因而其隧道电导必须与两极的磁化方向平行时的电导有所差别，将隧道电导与铁磁电极的磁化方向相关的现象称为磁隧道阀效