半导体器件 第十章 含作业＂.ppt

说明 这样我就可以光明正大的水经验了，哈哈，我得意地笑，我得意地笑… … 第十章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 MOSFET的类型 两个PN结： 1）N型漏极与P型衬底； 当栅源之间加上正向电压，则栅极和p型硅片之间构成了以二氧化硅为介质的平板电容器，在正的栅源电压作用下，介质中便产生了一个垂直于半导体表面的由栅极指向p型衬底的电场（由于绝缘层很薄，即使只有几伏的栅源电压VGS ，也可产生高达105~106V/cm数量级的强电场）。 MOS结构中半导体表面能带弯曲的动因 金属与半导体之间加有电压（栅压） 半导体与金属之间存在功函数差 氧化层中存在净的空间电荷 平带电压 定义：使半导体表面能带无弯曲需施加的栅电压 来源：金属与半导体之间的功函数差，氧化层中的净空间电荷 小节内容 11.1.4 平带电压 来源 定义 如果没有功函数差及氧化层电荷,平带电压为多少? 如何算 小节内容 11.1.6 电荷分布 分布图 为什么书中可以经常忽略反型点的电荷?p327 10.2节内容 理想情况CV特性 频率特性 氧化层电荷及界面态的影响 实例 小节内容 理想情况CV特性 CV特性概念 堆积平带耗尽反型下的概念 堆积平带耗尽反型下的计算 频率特性 高低频情况图形及解释 小节内容 氧化层电荷及界面态对C-V曲线的影响 氧化层电荷影响及曲线 界面态概念 界面态影响概念曲线 实例 如何测C-V曲线 如何看图解释出现的现象 10.3节内容 MOS结构 电流电压关系——概念 电流电压关系——推导 跨导 衬底偏置效应 MOSFET的类型 耗尽型：栅压为0时已经导通 N沟（很负才关闭） P沟（很正才关闭） 沟道中的电流是由漂移而非扩散产生的（长沟器件） 栅氧化层中无电流 缓变沟道近似，即垂直于沟道方向上 的电场变化远大于平行于沟道方向上 的电场变化 氧化层中的所有电荷均可等效为 Si-SiO2界面处的有效电荷密度 耗尽层厚度沿沟道方向上是一 个常数 沟道中的载流子迁移率与空间 坐标无关 衬底与源极之间的电压为零 小节内容 电流电压关系——推导 跨导 器件结构 迁移率 阈值电压 W L p350第二段有误：L增加，跨导降低 tox 反型层电子势能比源端电子势能高→电子更容易从反型层流到源区→达到反型所需的电子浓度需更高的栅压； 反型层-衬底之间的电势差更大→表面耗尽层更宽、电荷更多→同样栅压下反型层电荷更少； 表面费米能级更低→要达到强反型条件需要更大的表面势； 小节内容 衬底偏置效应 P阱更负，n管阈值上升 N衬底更正，p管阈值更负 此种类型偏置经常做模拟用途。 例11.10：T 300K，Na 3×1016cm-3，tox 500埃，VSB 1V △VT 0.66V CMOS（Complentary MOS，互补CMOS） 使n沟MOSFET与p沟MOSFET取长补短 实现低功耗、全电平摆幅 数字逻辑电路的首选工艺 MOS电容是MOSFET的核心。随表面势的不同，半导体表面可以处于堆积、平带、耗尽、本征、弱反型、强反型等状态。 MOSFET导通时工作在强反型状态 栅压、功函数差、氧化层电荷都会引起半导体表面能带的弯曲或表面势。 表面处于平带时的栅压为平带电压，使表面处于强反型的栅压为阈值电压。阈值电压与平带电压、半导体掺杂浓度、氧化层电荷、氧化层厚度等有关。 C-V曲线常用于表征MOS电容的性质，氧化层电荷使C-V曲线平移，界面陷阱使C-V曲线变缓 MOSFET根据栅压的变化可以处于导通（强反型）或者截止状态，故可用作开关；加在栅源上的信号电压的微小变化可以引起漏源电流的较大变化，故可用作放大。 11.6 小结 2 MOSFET可以分为n沟道、p沟道，增强型、耗尽型。对于不同类型的MOSFET，栅源电压、漏源电压、阈值电压的极性不同。 特性曲线和特性函数是描述MOSFET电流-电压特性的主要方式。跨导和截止频率是表征MOSFET性质的两个最重要的参数。 根据MOSFET的转移特性（ID-VGS），可分为导通区和截止区；根据MOSFET的输出特性（ID-VDS），可分为线性区、非饱和区和饱和区。 影响MOSFET频率特性的因素有栅电容充放电时间和载流子沟道渡越时间，通常前者是决定MOSFET截止频率的主要限制因素。 CMOS技术使n沟MOSFET和p沟MOSFET的优势互补，但可能存在闩锁等不良效应。 掌握复习题1-15的内容。 注意，上课纠正上次课的若干错误。 缓变沟道近似意味着可以忽略纵向电场随x的变化，即Ex为一常数，此近似在氧化层厚度远小于沟道长度的器件中有效。 耗尽层厚度为常数意味着VT与x无关。 ID的规定正方向是从漏到源，而x的正方向是从源到漏，故有负号。对ID积分时用了迁移率不是x的函数的