第一章 衬底制备课件.ppt

1.3.3 晶片加工 ③化学机械抛光（CMP，Chemical Mechanical Polishing:) 特点：兼有机械与化学抛光两者的优点。 典型抛光液：SiO2+ NaOH Si+ 2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑ 三氯氢硅的沸点为31.5℃ ，与绝大多数杂质的氯化物挥发温度相差较大，所以可用精馏法提纯。三氯氢硅极易挥发和水解，产生强腐蚀的盐酸气，因此精馏设备必须防止水汽和空气混入。 Most ingots produced today are 150mm (6) and 200mm (8) diameter, but Komatsu Silicon America, MEMC, Mitsubishi Silicon America, Shin-Etsu Handotai America, and Wacker Siltronics are developing 300mm (12) and 400mm (16) diameter ingots. 集成电路制造技术 第一章 Si单晶及Si片的制备 2013年8月28日 主要内容 多晶硅的制备 直拉法制备Si单晶 Si片的制备 1.1 多晶Si的制备 1.1.1 半导体材料的类型 元素半导体：Si、Ge、C（金刚石） 化合物半导体：GaAs、SiGe 、SiC 、GaN、 ZnO 、HgCdTe Ⅱ族 Ⅲ族 Ⅳ族 Ⅴ族 Ⅵ族 第2周期 B C N 第3周期 Al Si P S 第4周期 Zn Ga Ge As Se 第5周期 Cd In Sn Sb Te 第6周期 Hg Pb Si半导体的重要性 ①占地壳重量20%-25%； ②单晶直径最大，目前16英吋（400mm）,每3年增 加1英吋； ③SiO2:掩蔽膜、钝化膜、介质隔离、绝缘介质（多 层布线）、绝缘栅、MOS电容的介质材料； ④多晶硅（ Poly-Si）：栅电极、杂质扩散源、互 连线（比铝布线灵活）； 1.1.2 Si单晶的起始材料--石英岩（高纯度硅砂--SiO2） ①SiO2+SiC+C→Si(s)+SiO(g)+CO(g), 冶金级硅：98%； ② Si(s)+3HCl(g) →SiHCl3(g)+H2，三氯硅烷室温下呈液态（沸点为32℃），利用分馏法去除杂质； ③ SiHCl3(g)+ H2→Si(s)+ 3HCl(g)，电子级硅（片状多晶硅） 从石英砂到硅锭 多晶硅提纯 I 过 滤 器 冷凝器 纯化器 反应室，300℃ HCl Si 硅粉 SiHCl3 (三氯氢硅 ，TGS) 纯度:99.9999999%(9N) Si (固) + 3HCl(气) －－→ SiHCl3(气)+H2(气) (220~300℃) SiHCl3：沸点31.5℃ Fe、Al和B被去除。 多晶硅提纯 II H2 液态SiHCl3 TGS H2+SiHCl3 H2+SiHCl3→Si+3HCl 电子级硅 多晶硅 EGS 工艺腔 1.2.1 直拉法（CZ法） 1）拉晶仪 ①炉子 石英坩埚：盛熔融硅液； 石墨基座：支撑和加热 石英坩埚 旋转装置：顺时针转； 加热装置：RF线圈； 1.2 Si单晶的制备 柴可拉斯基拉晶仪 1）拉晶仪 ②拉晶装置 籽晶夹持器：夹持籽晶（单晶）； 旋转提拉装置：逆时针； ③环境控制 真空系统： 气路系统：提供惰性气体； 排气系统： ④电子控制及电源系统 2）拉晶过程 例，2.5及3英吋硅单晶制备 ①??熔硅 调节坩埚位置；（注意事项：熔硅时间不易长） ②??引晶（下种） 籽晶预热：目的---避免对热场的扰动太大； 位置---熔硅上方； 与熔硅接触：温度太高---籽晶熔断； 温度太低---籽晶不熔或不生长； 合适温度--籽晶与熔硅可长时间接触， 既不会进一步融化，也不会生长； 2）拉晶过程 ③收颈 目的：抑制位错从籽晶 向晶体延伸； 直径：2-3mm； 长度：20mm； 拉速：3.5mm/min? ④放肩 温度：降15-40℃； 拉速：0.4mm/min； 2）拉晶过程 ⑤ 收肩 当肩部直径比所需直径小3-5mm时，提高拉速： 2.5mm/min