第一周模电.ppt

三、半导体二极管的命名方法 反应直流参数、交流参数、和极限参数等的差别。 反应承受反向击穿电压的程度。如规格号为：A、B、C、D……。其中A承受的反向击穿电压最低，B次之 ……。 如2AP9，“2”表示电极数为2，“A”表示N型锗材料，“P”表示普通管，“9”表示序号。 1.2.2、半导体二极管的伏安特性 以电压为横坐标,电流为纵坐标,用作图法把电压、电流的对应值用平滑的曲线连接起来，构成二极管伏安特性曲线。 IS------反向饱和电流，单位为A； VT-----温度电压当量，常温（T=300K）VT≈26mV。 i v Von 1、正向特性---加正向电压时的特性 i v Von v＜Von，二极管截止，正向电流i很小，几乎为零； v＞Von，二极管导通，正向电流i明显增大，两端电压并没有明显增大，相对是一个恒定状态。 二极管开始导通时电压Von ~~ “门限电压”、“死区电压”、“导通电压”、阈值电压。 锗管约0.3V, 硅管约0.5V。 工程上取硅管Von=0.7V，锗管Von=0.2V。 2、反向特性---加反向电压时的特性 二极管加反向电压，反向截止，理论认为二极管不导电。 外加反向电压不超过一定范围时通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成的很小的反向电流，称为反向饱和电流IR或漏电流，电流受温度影响很大。 i v Von