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图14－3 光盘采用的七种光记录形式示意图 烧蚀凹坑式 两种不同材料薄 膜作用形成合金 绒面-镜面结构 激光作用熔化成平面 小颗粒变大 起泡式记录 下层为易汽化的聚合物薄膜 相变型材料: 晶型转变为非晶态 变态型材料: 非晶态微观结构变化 在激光记录时，光盘表面产生的光斑因记录介质的不同有烧蚀坑、鼓泡和绒面－镜面等七种光记录形式，如图14-3所示。 二、光盘分类及结构 按功能分为可擦除光盘和不可擦除光盘。不可擦除光盘又分为只读型和一次写入多次读出型。 光盘结构有单层膜型（图14－4）、三层膜消反射型（图14－5）和空气“夹心饼”型（图14-6）三种形式。 图14－4 单层膜型光盘结构 图14－5 三层膜消反射型光盘结构 完全吸收入射光 消反射结构 改善光热转换效率 由上两式代入运算可得 该式表明，若物体对某种波长的辐射有很强的吸收能力，则它对这种辐射的发射能力也很强。 4、朗伯定律 朗伯定律确定了黑体沿个别方向的辐射变化，即一定方向上单位面积(dF1)单位立体角(dΩ)内的辐射能通量(d2Φφ)与该方向同表面法线方向的夹角(φ)的余弦成正比。其数学表达式为 13.2 红外辐射材料 理论上，任何物体在0K以上均可辐射红外线，但工程上，红外辐射材料只指能吸收热物体辐射而发射大量红外线的材料。红外辐射材料可分为热型、“发光”型、热-“发光”混合型三类。 一、有关发射率的概念 红外辐射材料的辐射特性决定于材料的温度和发射率。发射率是红外辐射材料的重要特征值。 热平衡辐射体：当一个物体向周围发射辐射时，同时也吸收周围物体所发射的辐射能，当物体与外界进行能量交换慢到使物体在任何短时间内仍保持确定温度时，该过程可以看作是平衡的。 根据不同的情况，发射率(ε)可分为以下几种。 1、发射率ε和光谱发射率ε(λ) 实际物体发射辐射性能没有黑体理想，受到外界辐射源照射时，它并不能全部吸收一切波长的能量，在给定温度下，从它表面发射的辐射出射度比同一温度下黑体的辐射出射度更小。 发射率ε：实际物体发射的辐射出射度和同一温度下黑体发射的辐射出射度之比。 光谱发射率ε(λ)：各个波长的辐射出射度与同温度、同波长下黑体的辐射出射度之比。 黑体：ε=1，ε(λ)=1；实际物体：ε1，ε(λ)1；灰体：ε=ε(λ)1，与波长无关；选择性辐射体：ε≠ε(λ)1，其发射率随波长变化 。 图13－1 三类辐射体的单色发射率 2、法向发射率εn 发射率还与辐射的方向有关。除了用一般的发射率（即半球向发射率）来描述物体辐射本领外，还常用“方向发射率”来描述物体在某方向的辐射本领，用得最多的是法向发射率εn，即垂直于辐射面方向的发射率。除了个别情况外，一般来说，半球向发射率与法向发射率之间的差别较小。 二、影响材料发射率的因素 当红外辐射辐射到任何一种材料的表面上时，一部分能量被吸收(α) ，一部分能量被反射(ρ) ，还有一部分能量被透过(τ)。因此 根据基尔霍夫定律 这说明影响材料反射、透射和辐射性能的有关因素必然会在其发射率的变化规律中反映出来。 材料辐射是因其组成原子、分子或离子体系在不同能量状态间跃迁产生的。一般说这种发出的辐射，在短波段主要与其电子的跃迁有关，在长波段则与晶格振动特性有关。 红外辐射机制:分子转动或振动而伴随着电偶矩的变化而产生的。组成材料的元素、化学键形式、晶体结构、晶体中存在的缺陷等因素会影响材料的发射率，具体如下： 1、材料本身结构对其发射率的影响 2、材料的发射率随辐射波长的变化 3、原材料预处理工艺对发射率的影响 4、发射率与温度有关 5、发射率受材料表面状态的影响 6、材料的体因素对发射率的影响 7、材料的发射率随工作时间而变化 1、材料本身结构对其发射率的影响 一般说金属导电体的ε值较小，电介质材料的ε值较高，这是因为构成金属和电介质材料的带电粒子及其运动特性不同，材料的电性和发射红外辐射的性能就不同，而这往往与材料的晶体结构有关。 2、材料的发射率随辐射波长的变化 多数红外辐射材料发射红外线的性能，在短波主要与电子在价带至导带间的跃迁有关；在长波段主要与晶格振动有关。晶格振动频率取决于晶体结构、组成晶体元素的原子量及化学键特性。 图13-2为600℃和1025℃情况下SiC的单色发射率曲线。由图可见，SiC在12μm附近有一个显著的发射率特征带，这是Si-C基态振动的位置。 图13－2 纯SiC的单色发射率与波长的关系 3、原材料预处理工艺对发射率的影响 4、发射率与温度有关 图13-3描述了一些材料的温度特性。电介质材料的发射率较金属大得多。 图13－3 各种材料的发射率和温度特性 5、发射率受材料表面状态的影响 一般来说，材料表面愈粗糙，其发射率愈大。图13-4为铝的发射率