ZnAl2O4_α-Al2O3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长.pdfVIP

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( A ) 32 10 SCIENCE IN CHINA ( Series A ) 2002 10 ZnAl O /αα-Al O 2 4 αα 2 3 GaN * (, 210093) (PLD)α-Al O ZnO , ZnO 2 3 α-Al O ZnAl O α-Al O . X (XRD) 2 3 2 4 2 3 ZnAl2O4 (111), (111) . (SEM) ZnAl2O4 , . , XRD ZnAl O . ZnAl O α-Al O MOCVD 2 4 2 4 2 3 GaN . XRD ZnAl2O4 GaN c , GaN 0.4°. ZnAl O GaN 2 4 , GaN . GaN ZnAl O MOCVD X 2 4 (LEDs) (LDs) , [1]. GaN (MOCVD). GaN , N2 , GaN [2], GaN α-Al O . α-Al O GaN 2 3 2 3 GaN . MOCVD GaN , , (500~600 ) AlN GaN , GaN[1]. Akasaki Nakamura AlN GaN α-Al2O3 GaN [3,4]. GaN , GaN , : ( ) , [5] [6]. , [7]; ( ) α-Al O GaN 2 3 [8]. GaN , . 2001-12-25 , 2002-03-08 * ( : ( :( : 699

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