位错与缺陷实验观测课件.pptVIP

位错的实验观察 化学腐蚀法：选用适当的腐蚀液，晶体表面位错露 头处最容易被腐蚀，形成锥形的腐蚀坑。 缀饰法：如将Na在高温下扩散到NaCl晶体中，Na 原子就会沿位错线聚集而 显出颜色。 X射线形貌照相可直接照出晶体薄片中的位错线。 用高分辨电子显微镜可照出晶体中原子的排列情况。 其他方法 杂质原子沿位错线的聚集可以看作是化学腐蚀法和缀蚀法的应用原理。 位错的攀移 攀移总是伴随着空位（或间隙原子）的产生和消灭。 空位凝结和位错环 位错环通过空位进一步的沉淀而长大。 六、位错增殖和滑移 范性形变引起位错密度的大大增加。 典型的位错密度测量结果表明，在范性形变过程中位错密度由108 cm-2增至约1011 cm-2，既增加1000倍。 如果一个位错运动，完全扫过其滑移面，那么它会使上下两面错开仅为一个原子间距，但实际观测到的错开达到100~1000个原子间距。 这就意味着位错在形变过程中是增殖的。 所有位错的一个共同特征就是位错弯曲效应。一条两端被钉扎（固定）的位错线段称为一个弗兰克-里德位错源（Frank-Read source）。这个位错源可以导致在同一滑移面上产生大量的同心位错环。 位错增殖的弗兰克-里德机制 七、螺位错与晶体生长 晶体生长理论表明，为了要在完整晶面上凝结新的一层，关键在于首先要靠着涨落现象在晶面上形成一个小核心，然后原子才能沿它的边缘继续集结生长。 而螺位错则在晶体表面提供了一个天然的生长台阶，而且，随着原子沿台阶的集合生长，并不会消灭台阶，而只是使台阶向前移动。 如果生长速率与表面上台阶边缘的方向无关，则生长图样是一个阿基米德螺旋线：r = aθ，此处a是一个常量。 螺旋位错和晶体生长 碳化硅晶体上六角形螺旋生长图样 与位错有关的物理现象 1.杂质原子在位错周围的聚集。 因为位错的周围有应力场，从而杂质原子会聚集到位错的近邻，以此来减少晶体的形变能。如刃位错实际上成为一个使杂质原子聚集在其周围的管道。在金相显微镜中可以观察到位错，也就是由于化学腐蚀剂的原子向位错附近运动，而使位错的周围受到腐蚀，因此可以从位错腐蚀坑的金相图来检验位错。 2.螺位错与晶体生长。 实际晶体生长的过程中，总会出现缺陷；一旦有缺陷出现，则粒子落到晶体上的几率就会增加，这样，晶体也就比较容易生长。缺陷对于晶体生长会起“触媒”作用。螺位错就起着这种作用，使晶体的生长速率大为增加。螺位错的存在使得垂直于位错线的一族晶面好像是一个阶梯。这样，螺位错所在之处，晶面上总存在三面角的位置（晶体上粒子最易落到的位置），也就没有所谓铺满一层再铺新一层的问题。 螺位错对晶体生长过程所起的“触媒”作用 3.位错和小角晶界。 4.位错和空位。 在从高温熔融状态凝固的材料中的位错正是起源于空位凝结过程。 位错在运动过程中（如攀移）可以产生或消灭空位。 3.4 缺陷的实验观测： 广泛用于研究缺陷的方法可以分为三类： 晶体缺陷影响固体性质，所以可以通过某些性质的测量来推断关于缺陷的重要信息； 研究缺陷本身对某些外加刺激的响应； 用显微技术直接观察。 一、密度和晶格参数的变化 二、电阻率的测量 三、电子自旋共振和电子－核双共振 四、光谱方法 五、显微观察 一、密度和晶格参数的变化 对肖特基缺陷： 对弗伦克尔缺陷： 体密度减小Δd，V是原子体积，vS是空位周围的弛豫。 v和vi分别表示产生一个弗伦克尔缺陷时其空位和间隙原子周围的体积膨胀。 比较宏观密度和晶胞大小的变化可以区别晶格内存在的无序情况的性质。 二、电阻率的测量 电子以弛豫时间τk被规则晶格势中的微扰所散射，电阻率ρ可表示成 式中m*和e分别是电子的有效质量和电荷，n代表电子密度。 固体的总电阻率ρ（T）可以用两个与温度有关的项之和表示，即 其中， ρi（T）是晶格振动贡献的本征电阻率， ρ0（T）是缺陷引起的总电阻率。 三、电子自旋共振和电子－核双共振 电子自旋共振（EPR）原理 LiNbO3的ENDOR谱，在其中观察到了Mn2+的谱线。 电子核双共振（ENDOR） S = I = 1/2系统中的能级超精细分裂效应。 四、光谱方法 Franck-Condon原理 吸收谱 发射谱 激发谱 五、显微观察 TEM——Transmission Electron Microscopy 一、单晶体的剪切强度 二、位错与伯格斯矢量 三、位错应力场 四、小角晶界 五、位错密度 六、位错增殖和滑移 七、螺位错与晶体生长 对于完整晶体弹性极限作出的理论估计，得到的数值比最低的观测值约高出103－104倍，和比较常见的观测值相比也要高出10