磁控溅射法制备氧化铜纳米线阵列薄膜及其气敏性质.pdfVIP

2011 年 第 56 卷 第 28-29 期：2383 ~ 2388 《中国科学》杂志社 论 文 SCIENCE CHINA PRESS 磁控溅射法制备氧化铜纳米线阵列薄膜及其气敏性质 乔振聪, 程轲, 袁占强, 武兴会, 庞山, 王广君, 万绍明, 杜祖亮* 河南大学特种功能材料教育部重点实验室, 开封 475004 * 联系人, E-mail: zld@ 2011-03-29 收稿, 2011-06-14 接受 国家自然科学基金、教育部科技创新工程重大项目培育基金(708062)和河南省创新人才基金资助项目 摘要 通过磁控溅射法在掺氟二氧化锡导电玻璃(FTO)衬底上溅射金属铜薄膜, 所制备的 Cu 关键词 薄膜在管式炉中退火氧化生长得到CuO 纳米线阵列薄膜. 用X 射线衍射仪(XRD)、扫描电子 磁控溅射 显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对其形貌和结构进行了表征, 并研究了这种 CuO 纳米线 通过磁控溅射得到的CuO 纳米线阵列薄膜对CO 和H2S 的气敏性质. 研究结果表明, CuO 纳 阵列薄膜 气敏性质 米线阵列薄膜在250 时对CO 气体具有最强的气敏响应, 并且当CO 浓度增大时其气敏响应 明显增强. 而对于H S 气体, 在常温下 CuO 纳米线阵列薄膜能够对低浓度的H S 气体响应, 2 2 说明这种 CuO 纳米线阵列薄膜可以在常温、低浓度下探测H2S 气体; 而当测试温度升高时, 其电阻值在H2S 气体氛围中迅速减小. 我们对这种异常的电阻变化现象进行了解释. CO 是一种能够导致人体窒息死亡的毒性气体, 米纤维等金属氧化物半导体纳米结构具有较大的比 但由于其无色无味, 故很难被察觉而导致中毒, 而 表面积而引起人们极大的关注[4~8], 但在这些研究工 H2S 为无色有臭鸡蛋气味的剧毒气体, 广泛存在于大 作中通常采用单根的纳米线[9,10]. 垂直排列的纳米线 气环境中, 对人的神经有强烈的毒害作用, 因此及时 阵列结构由于具有更大的表面积, 能够吸附更多的 准确地检测监控环境中的 CO 和 H2S 等有害气体就 气体而具有更高的灵敏性, 是作为气敏检测的一种 显得非常重要. 半导体金属氧化物是目前应用最为 理想结构. ZnO 纳米线阵列结构由于易于制备, 其气 广泛的一类气体传感器, 其特点是灵敏度高、响应 敏特性逐渐受到人们关注和研究[11~13]. 但对于 p 型 快、使用方便、适于现场检测[1]. 目前, 用于检测CO 导电的 CuO 而言, 目前这种垂直排列的纳米线阵列 和 H2S 的金属氧化物半导体材料主要有 ZnO, SnO2 结构的制备仍是一个难点. Jiang 等人[14]采用热氧化 和CuO, 其中ZnO 和SnO2 都是n 型半导体, 其气敏 法制备出垂直生长的 CuO 纳米线后, 引起了人们极 机制一般用表面耗尽和颗粒界面模型来解释[2], 而 大关注[15~17], 但此方法只能在铜基底上进行生长, CuO 是一种少见的带隙为1.2~1.5 eV 的窄带隙p 型导 生成的纳米线不易转移到合适的基底上,